所采用的这种IV族/III-V族混合外延生长方法可以直接应用到课题组新搭建的8英寸分子束外延系统上,实现大尺寸的晶圆级制备,这为大规模集成硅基锑化物半导体光电子器件以及高速电子器件开辟了道路。 论文第一作者为中国科学院物理研究所博士后韩东,通讯作者为中国科学院物理研究所王霆研究员和张建军研究员。研究工作得到了...
1997-2004年湘潭大学物理系本科、硕士,2005-2010年德国马普固体研究所和奥地利约翰开普勒大学联合培养博士,2010-2012年德国莱布尼兹固体和材料研究所从事博士后研究,2013-2014年澳大利亚量子计算和通讯技术卓越中心独立从事原子尺度半导体器件研究,2014年到物理所,2016年成立半导体量子材料与器件课题组(N09)。
中科院物理所 张建军组中科院物理所技术部分析测试部化学分析组 中国科学院物理研究所技术部分析测试部化学分析组,是物理所公共技术条件的重要组成部分之一。分析测试部坚持为全所各专业、各学科和社会提供快捷,准确的分析测试服务的宗旨,竭诚欢迎所内外研究单位、高等院校,各企事业单位咨询和联系业务。 化学分析组从建立...
中国科学院物理研究所 张建军研究员课题组 利用分子束外延技术在硅(001)衬底上直接生长低缺陷密度锑化镓外延薄膜 01 研究介绍 硅基异质集成III-V族半导体是信息领域重要的研究方向。得益于成熟的CMOS工艺和硅光子学的飞速发展,硅上集成III...
男，中国国籍，中国科学院物理研究所研究员、博士生导师，入选中科院“百人计划”。现为担任纳米器件与物理9组组长，主要从事半导体量子材料的生长、物性和器件研究。北京量子信息科学研究院量子计算研究部兼聘研究员。研究方向 半导体量子材料的生长、物性和器件研究 研究经历 1997-2004年湘潭大学物理系本科、硕士，2005-...