中国科学院物理研究所张建军研究员课题组:利用分子束外延技术在硅(001)衬底上直接生长低缺陷密度锑化镓外延薄膜 AIP美国物理联合会 1 人赞同了该文章 01研究介绍 硅基异质集成III-V族半导体是信息领域重要的研究方向。得益于成熟的CMOS工艺和硅光子学的飞速发展,硅上集成III-V族光电子器件有望很快成为实现光互联或...
张建军,中国科学院物理研究所研究员,国家杰青,博士生导师,纳米物理与器件重点实验室主任。入选中国科学院高层次人才计划且终期评估获得优秀,担任国家级及省部级多个重大专项或主题专家,承担包括国家自然科学基金委重大研究计划重点项目、国家科...
1997-2004年湘潭大学物理系本科、硕士,2005-2010年德国马普固体研究所和奥地利约翰开普勒大学联合培养博士,2010-2012年德国莱布尼兹固体和材料研究所从事博士后研究,2013-2014年澳大利亚量子计算和通讯技术卓越中心独立从事原子尺度半导体器件研究,2014年到物理所,2016年成立半导体量子材料与器件课题组(N09)。
男，中国国籍，中国科学院物理研究所研究员、博士生导师，入选中科院“百人计划”。现为担任纳米器件与物理9组组长，主要从事半导体量子材料的生长、物性和器件研究。北京量子信息科学研究院量子计算研究部兼聘研究员。研究方向 半导体量子材料的生长、物性和器件研究 研究经历 1997-2004年湘潭大学物理系本科、硕士，2005-...