淀积多晶硅 (共27件相关产品信息) 更新时间:2024年07月12日 综合排序 人气排序 价格 - 确定 所有地区 已核验企业 在线交易 安心购 查看详情 ￥100.00/个 实验科研硅靶材 Si 磁控溅射硅靶 单晶硅 多晶硅 N型 P型均可选做 通用款 泉州起晋新材料科技有限公司 4年 查看详情 ￥1000.00/件 浙江杭州 菲跃大...
1. 外延硅淀积 外延硅淀积是将气态源中的硅物质在硅衬底表面上不断地沉积和结晶形成薄膜。它通常在高温、高真空条件下进行。 2. 多晶硅 多晶硅则通过将气态中的硅物质在较高的温度下沉积在硅衬底或其他基材上形成。这种制备方法的难点在于控制硅晶粒的生长速率和方向。 二、物理性质 1. 外延硅淀...
02月24日 一,引言 多晶硅是太阳能电池主要的原材料之一,晶粒大小是影响太阳能电池电池效率的重要因素之一.为了提高电池效率,研究人员通过多次淀积工艺控制晶粒大小.本文将分析多次淀积对多晶硅晶粒大小的影响,并探索影响晶粒大小的关键因素. 二,多次淀积工艺 多次淀积工艺是指将多晶硅分成多...
多晶硅的淀积方法 低压化学气相淀积多晶硅 多晶硅薄膜电学性质 多晶硅薄膜的电学性质与单晶硅很不同，它远比单晶硅的复杂。非掺杂多晶硅薄膜的电阻率很高，通常在106~108Ω·cm。引起多晶薄膜电学性质与单晶硅的差异，其根本原因是因为多晶硅薄膜存在晶粒间界，晶粒间界是一个晶向的晶粒向另一个晶粒的过度区域，它的结构...
下图是硅烷反应淀积多晶硅的过程,写出发生反应的方程式,并简述其中1~5各步的含义。相关知识点: 试题来源: 解析 解析:(1)反应气体从腔体入口向晶圆片附近输运; (2)这些气体反应生成系列次生分子; (3)这些反应物输运到晶圆片表面; (4)表面反应释放出硅; (5)气体副产物解吸附; (6)副产物离开晶圆片表面的输运;...
直到20世纪70年代中期,硅栅MOS器件的出现(见图12.37),HCPL-0723多晶硅才在器件结构中得以应用。硅一栅器件技术加速了淀积多晶硅薄膜的可靠工艺的需求。到20世纪80年代,多晶硅似乎成r
解释为何一般淀积多晶硅薄膜的温度普遍较低,大约在600℃~650℃之间。相关知识点: 试题来源: 解析 答:这有两个理由:一就是使硅片的热支出最小化,以降低掺杂扩散与材料劣化。此外,在较低温度下发生的气相反应较少,可以使薄膜更平整、粘附性更好。还有一个理由就就是这样得到的多晶硅晶粒较小,晶粒越细小,就越容易...
生长栅氧化层淀积多晶硅光刻 栅氧化,开启电压调整 多晶硅淀积 光刻4,刻NMOS管硅栅, 磷离子注入形成NMOS管 光刻5,刻PMOS管硅栅, 硼离子注入及推进,形成PMOS管 磷硅玻璃淀积 光刻6,刻孔、磷硅玻璃淀积回流(图中有误,没刻出孔) 蒸铝、光刻7,刻铝、 光刻8,刻钝化孔 (图中展示的是刻铝后的图形) 离子注入的...
结果1 题目为什么在淀积多晶硅时,通常以硅烷为气体源,而不以硅氯化物为气体源?相关知识点: 试题来源: 解析 答:通常用用低压反应炉淀积多晶硅的温度为中低温,此时硅烷比硅氯化物的反应性要好。此外,硅烷在SiO2等无定型材料上的覆盖性更佳。反馈 收藏
报导了以三氛化磷为淀积多晶硅薄膜的修杂剂实验结果.文 中还 分析了 多晶 硅对 C C D 器 件性 能的影响.由 于硅 烷的热分解温度低,对装 置材 料没 有腐 蚀作用,分 解反 应也不形 成有 害的物质,而且硅 烷热 分解汽相淀积多晶硅的方法 与蒸发法、溅射 法相 比,所淀积的膜纯度高、晶 粒细,...