1.太阳能电池领域 太阳能电池是淀积多晶硅的最主要应用领域之一。淀积多晶硅可以制成高效薄膜太阳能电池,可以广泛应用于家庭、商业和工业等领域。此外,它还可以用于制造柔性太阳能电池。 2.集成电路领域 在集成电路领域,淀积多晶硅可以用于制造存储器、传感器、微处理器等电子元器件,可以大幅提高电子设备的性能...
多晶硅的淀积是半导体制造过程中的关键步骤,主要涉及到气相沉积、化学气相沉积和物理气相沉积三种技术。 一、气相沉积 气相沉积是利用一定温度下的气相化学反应来沉积多晶硅薄膜。在这个过程中,首先通过加热硅源使其挥发,然后混合氢气在基片上反应沉积,最终形成多晶硅薄膜。这种方法的优点是制备过程简单且可以形成较均匀的...
lpcvd淀积多晶硅温度lpcvd淀积多晶硅温度 LPCVD工艺中温度对多晶硅薄膜制备的影响需要从热力学和动力学双重维度考量。在580-650℃的常规温度区间,不同企业的工艺手册存在明显分歧,某半导体代工厂的工艺数据记录显示,温度每提升20℃,沉积速率呈指数级增长,但晶粒尺寸分布离散度同时扩大35%以上。这种矛盾现象源于表面反应与...
多晶硅的淀积方法 低压化学气相淀积多晶硅 多晶硅薄膜电学性质 多晶硅薄膜的电学性质与单晶硅很不同，它远比单晶硅的复杂。非掺杂多晶硅薄膜的电阻率很高，通常在106~108Ω·cm。引起多晶薄膜电学性质与单晶硅的差异，其根本原因是因为多晶硅薄膜存在晶粒间界，晶粒间界是一个晶向的晶粒向另一个晶粒的过度区域，它的结构...
解释为何一般淀积多晶硅薄膜的温度普遍较低,大约在600℃~650℃之间。相关知识点: 试题来源: 解析 答:这有两个理由:一就是使硅片的热支出最小化,以降低掺杂扩散与材料劣化。此外,在较低温度下发生的气相反应较少,可以使薄膜更平整、粘附性更好。还有一个理由就就是这样得到的多晶硅晶粒较小,晶粒越细小,就越容易...
外延硅淀积和多晶硅两者不同于单晶硅的特点在于,它们的制备方法更加灵活多样,制备出来的硅材料具有较特定的物理性质,也针对不同的应用领域做了相应的优化。 【结论】 外延硅淀积和多晶硅虽然都属于硅材料,但它们制备方式不同,物理性质也存在显著的区别。在应用领域上,两者都有各自的优势和应用范畴。因此,...
下图是硅烷反应淀积多晶硅的过程,写出发生反应的方程式,并简述其中1~5各步的含义。相关知识点: 试题来源: 解析 解析:(1)反应气体从腔体入口向晶圆片附近输运; (2)这些气体反应生成系列次生分子; (3)这些反应物输运到晶圆片表面; (4)表面反应释放出硅; (5)气体副产物解吸附; (6)副产物离开晶圆片表面的输运;...
当我们在淀积多晶硅前先淀一层保护层这种方法实施后石英系统得到极好保护,能淀积优质多晶硅薄膜,淀时升温淀完降温,石英管可承受任何温度冲击,且节省了电力及人力。石英管管壁淀了几十微米厚的多晶硅时可进行清洗处理烘干后再淀保护层、淀多晶硅。如此可不断地反复使用。 采用本实用新型方案每年可节约近20万元的石英管...
生长栅氧化层淀积多晶硅光刻5 栅氧化，开启电压调整 栅氧化层N阱 多晶硅淀积 多晶硅栅氧化层N阱 光刻4，刻NMOS管硅栅，磷离子注入形成NMOS管 NMOS管硅栅 用光刻胶做掩蔽 N阱 光刻5，刻PMOS管硅栅，硼离子注入及推进，形成PMOS管 用光刻胶做掩蔽 PMOS管硅栅 N阱 磷硅玻璃淀积 磷硅玻璃 N阱 光刻6，刻孔、...
直到20世纪70年代中期,硅栅MOS器件的出现(见图12.37),HCPL-0723多晶硅才在器件结构中得以应用。硅一栅器件技术加速了淀积多晶硅薄膜的可靠工艺的需求。到20世纪80年代,多晶硅似乎成r