浮体效应,浮体效应(Floating body effect)是把硅放到绝缘体上做成的晶体管,它的体势及偏压和载流重组有关;晶体管相对绝缘衬底形成一个电容,电荷在电容上积累,而造成许多不利的影晌。
垂直晶体管中的浮体效应(Floating Body Effect)是指在绝缘体上硅(SOI)技术实现的晶体管中,晶体管的体电势对其偏置历史和载流子复合过程的依赖性影响。具体地说,晶体管的主体在绝缘基板上会形成一个电容器,电荷在这个电容器上的累积可能会产生一系列不利影响。例如,结构中的寄生晶体管可能会被打开,从而导致断态泄漏...
浮体效应是由于垂直结构晶体管顶部的电场作用引起的。当晶体管工作时,由于电场的作用,电子和空穴受到垂直方向上的力,从而形成了浮动效应。 具体来说,当PN结反向偏置时,顶部导电区域的N型区域会形成电子云。由于电子和空穴施加在该区域上的力的方向相反,电子云产生了从N区域向上的浮动效应。 这种浮动效应的产生是由于...
SOI技术带来器件和电路性能提高的同时也不可避免地带来了不利的影响,其中最大的问题在于部分耗尽SOI器件的浮体效应。当器件顶层Si膜的厚度大于最大耗尽层的宽度时,由于结构中氧化埋层的隔离作用,器件开启后一部分没有被耗尽的si膜将处于电学浮空的状态,这种浮体结构会给器件特性带来显著的影响,称之为浮体效应。浮体效...
SOI器件中浮体效应的研究进展_朱鸣
释义 Floating body effect 浮体效应; 实用场景例句 全部 This method can suppress floating body effect of SOI MOSFET more effectively compared with other methods. 提出了一种新的部分耗尽SOI体 接触技术,与其它体接触技术相比,该方法可以有效抑制SOI器件的浮体效应. 互联网...
1.一种浮体效应存储单元的制备方法,包括对储存器单元进行的阈值电压元素注入工艺,其特征在于,所述阈值电压元素注入工艺包括正向注入和反向注入,所述正向注入的元素的最外层得失电荷数与反向注入的元素相反,所述正向注入的元素剂量与反向注入的元素剂量不相等,所述正向注入的元素的剂量与反向注入的元素的剂量的差额为所述...
浮体效应soi器件pdsoi硅膜极晶体管 文章编号:1007-4252(2002)03-0297-06收稿日期:2001-10-10;修订日期:2001-11-30作者简介:朱鸣(1978-),男,硕士生,研究方向为:SOI材料与器件(E-mai :zhuming@mai .sim.ac.cn).SOI器件中浮体效应的研究进展朱鸣1,林成鲁1,邢昆山2(1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所...
部分耗尽SOIMOSFET中的浮体效应第35卷第6期 2005年12月微电子学 Microelectronics Vo1.35,№6 Dec.2005 文章编号:1004—3365(2005)06—059703 部分耗尽SO1MOSFET中的浮体效应彭力,洪根深 (无锡微电子科研中心IC工艺实验室,江苏无锡214035) 摘要:介绍了部分耗尽SOIMOSFET中的浮体效应;简要描述了浮体效应的物理机制,...