下表是基于英飞凌科技有限公司的氮化镓晶体管CoolGaN和碳化硅MOSFET CoolSiC，对两种功率半导体的关键参数进行了对比。从上表可知，氮化镓晶体管在动态参数上都低于碳化硅MOSFET，因此氮化镓晶体管的开关损耗低于碳化硅MOSFET，在高工作频率下的优势会更明显。电流反向流动时（源极到漏极）氮化镓晶体管的压降与其门极到源极...
与氮化镓晶体管类似,碳化硅MOSFET同样具有导通电阻小,寄生参数小等特点,另外其体二极管特性也比硅MOSFET大为提升。图11是英飞凌碳化硅650V 耐压MOSFET CoolSiC与目前业界体二极管性能最好的硅材料功率MOSFET CoolMOS CFD7的两项主要指标RDS(on)*Qrr和RDS(on)*Qoss的对比,前一项是衡量体二极管反向恢复特性的指标,后一...
氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料,具有宽带隙、高热导率等特点,应用在充电器可适配小型变压器和高功率器件,充电效率高。 氮化镓和碳化硅的对比 氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)都是宽禁带(WBG)材料,比硅(Si)有更好的物理性能。三种材料的禁带宽度分别为:Si 1.1eV;SiC 3.2eV;GaN 3.4eV,所以氮化镓和碳化硅处理...
氮化镓和碳化硅 MOSFET对比 电气参数对比 表2是氮化镓晶体管CoolGaN和碳化硅MOSFET CoolSiC,对两种功率半导体的关键参数进行了对比。 表2:CoolGaN和碳化硅MOSFET CoolSiC关键参数对比 从表2可知,氮化镓晶体管在动态参数上都低于碳化硅MOSFET,因此氮化镓晶体管的开关损耗低于碳化硅MOSFET,在高工作频率下的优势会更明显。电流...
图13:碳化硅MOSFET,氮化镓晶体管和硅MOSFET导通电阻随结温变化曲线 应用对比 首先在图7所示的电流连续模式(CCM)的图腾柱(totem-pole)无桥PFC电路上对氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET对转换效率的影响进行了测试,测试条件如表3所示。 表3:PFC电路测试条件 测试中每种功率开关都测试了两种导通电阻的器件,对于氮化镓晶体管,RD...
2.碳化硅半导体 碳化硅半导体广泛应用于电力、光伏、电动汽车、太阳能逆变器、电源和电感等领域。 【结论】 本文对比了氮化镓半导体和碳化硅半导体的材料性质、物理特性以及应用领域等方面的不同之处,两种材料各具优势,在不同领域有着广泛的应用前景。 以上内容来自杭州顺藤网络科技有限...
碳化硅MOSFET的特性 与氮化镓晶体管类似,碳化硅MOSFET同样具有导通电阻小,寄生参数小等特点,另外其体二极管特性也比硅MOSFET大为提升。 图6是英飞凌碳化硅650V耐压MOSFETCoolSiC与目前业界体二极管性能最好的硅材料功率MOSFETCoolMOSCFD7的两项主要指标RDS(on)*Qrr和RDS(on)*Qoss的对比,前一项是衡量体二极管反向恢复特...
碳化硅与氮化镓的电学性能比较 两者导电性的对比分析 两者导电性的对比分析 ▪碳化硅的导电性 1.碳化硅是一种宽带隙半导体，其导电性能取决于材料的掺杂类型和浓度。2.在未掺杂的情况下，碳化硅是绝缘体；在适当掺杂后，可以转变为导体。3.碳化硅的电子迁移率很高，因此具有良好的高频性能。▪氮化镓的导电性 1....
三、性能对比 1.氮化镓芯片: 相比于碳化硅芯片,氮化镓芯片具有更高的电子迁移率和更高的导电性能,能够耐受更高的电压和功率负载。 氮化镓芯片在快速切换和高效的功率变换方面也有一定的优势。 2.碳化硅芯片: 碳化硅芯片的较大优势是可以在高温下稳定工作,同时由于其材料本身的特性,可以实...
就漏源电荷(Qoss)、恢复电荷(Qrr)和栅极电荷(Qg)等而言,碳化硅MOSFET的FoM优于同档次的硅超级结器件。然而,若论及输出电容(Eoss)中储存的能量,则是硅器件胜出。相比之下,氮化镓MOSFET的优越性似乎仅体现在与替代产品的对比中。然而,为了看清全局,有必要做更深入的挖掘。