下表是基于英飞凌科技有限公司的氮化镓晶体管CoolGaN和碳化硅MOSFET CoolSiC，对两种功率半导体的关键参数进行了对比。从上表可知，氮化镓晶体管在动态参数上都低于碳化硅MOSFET，因此氮化镓晶体管的开关损耗低于碳化硅MOSFET，在高工作频率下的优势会更明显。电流反向流动时（源极到漏极）氮化镓晶体管的压降与其门极到源极...
一、基础材料 氮化镓芯片和碳化硅芯片的基础材料不同。氮化镓芯片是由氮化镓材料制成的,而碳化硅芯片则是由碳化硅材料制成的。 二、性能对比 1. 导电性能 氮化镓芯片的导电性能优于碳化硅芯片。由于氮化镓材料的导电性能更好,因此氮化镓芯片在高功率电子设备中更为常见。 2. 崩溃电压...
图16:两种功率器件在不同工作频率下效率对比 氮化镓和碳化硅 MOSFET应用建议 根据第3章和第4章的论述,基于英飞凌科技有限公司的氮化镓晶体管和碳化硅 MOSFET产品,对于这两种宽禁带功率半导体的应用建议如下: (1)所应用系统由于某些原因必须工作于超过200KHz以上的频率,首选氮化镓晶体管,次选碳化硅MOSFET;若工作频率低于200...
以25°C下的值为标准,碳化硅器件的RDS(ON)比氮化镓HEMT低30%,比硅超级结器件在100°C下的值低50%。(图3)这表明,在系统工作温度下,RDS(ON)为70 mΩ的硅超级结器件的FoM逊色于100 mΩ碳化硅器件,这会降低SMPS的总体能效。 图3:硅、碳化硅和氮化镓器件在不同结温TJ(单位:°C)下的标称RDS(ON) 案例分析:...
氮化镓和碳化硅的对比 描述 氮化镓(GaN:Gallium Nitride)是氮和镓化合物,具体半导体特性,早期应用于发光二极管中,它与常用的硅属于同一元素周期族,硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料,具有宽带隙、高热导率等特点,应用在充电器可适配小型变压器和高功率器件,充电效率高。
电气参数对比 表2是氮化镓晶体管CoolGaN和碳化硅MOSFET CoolSiC,对两种功率半导体的关键参数进行了对比。 表2:CoolGaN和碳化硅MOSFET CoolSiC关键参数对比 从表2可知,氮化镓晶体管在动态参数上都低于碳化硅MOSFET,因此氮化镓晶体管的开关损耗低于碳化硅MOSFET,在高工作频率下的优势会更明显。电流反向流动时(源极到漏极)氮...
碳化硅MOSFET的特性 与氮化镓晶体管类似,碳化硅MOSFET同样具有导通电阻小,寄生参数小等特点,另外其体二极管特性也比硅MOSFET大为提升。 图6是英飞凌碳化硅650V耐压MOSFETCoolSiC与目前业界体二极管性能最好的硅材料功率MOSFETCoolMOSCFD7的两项主要指标RDS(on)*Qrr和RDS(on)*Qoss的对比,前一项是衡量体二极管反向恢复特...
氮化镓芯片和碳化硅芯片的基础材料不同。氮化镓芯片是由氮化镓材料制成的,而碳化硅芯片则是由碳化硅材料制成的。 二、性能对比 1. 导电性能 氮化镓芯片的导电性能优于碳化硅芯片。由于氮化镓材料的导电性能更好,因此氮化镓芯片在高功率电子设备中更为常见。 2. 崩溃电压 崩溃电压是芯片能够承受...
三、性能对比 1.氮化镓芯片: 相比于碳化硅芯片,氮化镓芯片具有更高的电子迁移率和更高的导电性能,能够耐受更高的电压和功率负载。 氮化镓芯片在快速切换和高效的功率变换方面也有一定的优势。 2.碳化硅芯片: 碳化硅芯片的较大优势是可以在高温下稳定工作,同时由于其材料本身的特性,可以...
图13:碳化硅MOSFET,氮化镓晶体管和硅MOSFET导通电阻随结温变化曲线 应用对比 首先在图7所示的电流连续模式(CCM)的图腾柱(totem-pole)无桥PFC电路上对氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET对转换效率的影响进行了测试,测试条件如表3所示。 表3:PFC电路测试条件 测试中每种功率开关都测试了两种导通电阻的器件,对于氮化镓晶体管,RD...