级联结构的氮化镓是耗尽型氮化镓与一个低压的硅MOSFET级联在一起,该结构的好处是其驱动与传统硅MOSFET的驱动完全相同(因为驱动的就是一个硅MOSFET),但是该结构也有很大的缺点,首先硅MOSFET有体二极管,在氮化镓反向导通电流时又存在体二极管的反向恢复问题。其次硅MOSFET的漏极与耗尽型氮化镓的源极相连,在硅MOSFET开通和...
碳化硅(SiC)衬底已在电动汽车和一些工业应用中确立了自己的地位。然而,近来氮化镓(GaN)已成为许多重叠应用的有力选择。了解这两种衬底在大功率电路中的主要区别及其各自的制造考虑因素,或许能为这两种流行的复合半导体的未来带来启示。 宽禁带的优势 与传统的硅(Si)衬底相比,宽禁带材料本质上能够在更高的开关频率和更...
图12:碳化硅MOSFET短路能力比较 第3章对氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET各自的结构和特性进行了介绍,下面将对两者在参数上和实际电路上进行对比。 氮化镓和碳化硅 MOSFET对比 电气参数对比 表2是氮化镓晶体管CoolGaN和碳化硅MOSFET CoolSiC,对两种功率半导体的关键参数进行了对比。 表2:CoolGaN和碳化硅MOSFET CoolSiC关键参数对...
级联结构的氮化镓是耗尽型氮化镓与一个低压的硅MOSFET级联在一起,该结构的好处是其驱动与传统硅MOSFET的驱动完全相同(因为驱动的就是一个硅MOSFET),但是该结构也有很大的缺点,首先硅MOSFET有体二极管,在氮化镓反向导通电流时又存在体二极管的反向恢复问题。其次硅MOSFET的漏极与耗尽型氮化镓的源极相连,在硅MOSFET开通和...
碳化硅MOSFET的特性 与氮化镓晶体管类似,碳化硅MOSFET同样具有导通电阻小,寄生参数小等特点,另外其体二极管特性也比硅MOSFET大为提升。图11是英飞凌碳化硅650V 耐压MOSFET CoolSiC与目前业界体二极管性能最好的硅材料功率MOSFET CoolMOS CFD7的两项主要指标RDS(on)*Qrr和RDS(on)*Qoss的对比,前一项是衡量体二极管反向...
表2是氮化镓晶体管CoolGaN和碳化硅MOSFET CoolSiC,对两种功率半导体的关键参数进行了对比。 表2:CoolGaN和碳化硅MOSFET CoolSiC关键参数对比 从表2可知,氮化镓晶体管在动态参数上都低于碳化硅MOSFET,因此氮化镓晶体管的开关损耗低于碳化硅MOSFET,在高工作频率下的优势会更明显。电流反向流动时(源极到漏极)氮化镓晶体管的...