在实际应用中,通常使用的磁控溅射氮化硅薄膜折射率数值范围为2.0到2.2。折射率较低的氮化硅薄膜可以用于制作抗反射涂层和光学薄膜,而折射率较高的氮化硅薄膜则通常用于制作光波导器等器件。 三、测量磁控溅射氮化硅薄膜折射率的方法 常用的测量磁控溅射氮化硅薄膜折射率的方法包括: ...
1. 气相混合比例:在CVD或PECVD过程中,气相中硅源和氮源的混合比例会直接影响氮化硅薄膜的成分和性质,从而影响其折射率和应力。 2. 沉积温度:沉积温度可以影响氮化硅薄膜的结晶度和内部应力,适当调节沉积温度有助于控制薄膜的应力水平。 3. 沉积速率:调节沉积速率可以改变氮化硅薄膜的微观结构和致密度,进而影响其折射...
百度试题 结果1 题目工艺生长的氮化硅薄膜厚度一般为80nm,折射率为___之间 相关知识点: 试题来源: 解析 2.0～2.2
用nkd.SystemSpectrophotometer测试了薄膜的折射率,用x射线光电子能谱(xPs)分析了薄膜的元素组成和离子状态。结果表明,热处理前,氮化硅薄膜中存在单质Si,随着Ar/N2流量比的增加.氮化硅薄膜中的单质si增加,薄膜的折射率增大;薄膜快速热处理后,氮化硅薄膜中存在O.Si.N,导致薄膜的折射率降低。对得到的结果进行了讨论。
摘要:利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积给定折射率的氮化硅薄膜,通过正交实验法对衬底温度、NH3流量和射频功率3个对氮化硅薄膜沉积速率影响较大的工艺参数进行全局优化和调整,得到了氮化硅镀膜的最优工艺参数。 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的氮化硅薄膜作为理想的减反射膜,具有很好的表面钝化作用,已被广泛...
氮化硅膜的折射率与什么有关A.组成薄膜的原子个数比B.薄膜的原始材料C.反应炉腔的洁净程度D.反应的时间
本实验采用德国Centrotherm管式PECVD设备E2000 HT 320-4型制备不同折射率的氮化硅薄膜。图1为反应室及气流方向的示意图,石墨舟为 156-13片标准型石墨舟。实验采用 P型(100)直拉的156 mm×156 mm单晶硅片,厚度为200±30 μm,电阻率约为0.5～3 Ω·cm;实验前硅片经过清洗、制绒、磷扩散、边缘刻蚀、去磷硅玻...
在氮化硅钝化的诸多工艺参数中,氮化硅薄膜的硅氮比最为重要,其对氮化硅薄膜折射率的影响尤为显著,而折射率又与该薄膜的减反射作用和钝化作用紧密相关。氮化硅薄膜中的硅氮比Si/N 和折射率n 的关系如图1 所示[2]。图中,空心圆点代...
氮化硅薄膜折射率1.6 更新时间:2024年08月24日 综合排序 人气排序 价格 - 确定 所有地区 已核验企业 查看详情 ￥1.28万/个 上海 Norcada/TEM windows 氮化硅薄膜窗口TEM/X-ray 在线交易 上海纳星实业有限公司 2年 查看详情 ￥1800.00/盒 上海奉贤 氮化硅薄膜单窗格(TEM用) 上海赫狄通纳米科技有限公司 ...