PECVD系统主要沉积条件包括射频功率、腔体压强、衬底温度、气体总流量以及硅烷和氨气配比等,这些条件的变化对氮化硅薄膜的折射率有重要影响[7]。由于影响氮化硅薄膜折射率的因素很多,而且不同的设备会有不同的最佳沉积条件,我们有必要对主要的沉积条件进行研究。 本文主要研究不同射频功率、腔体压强、衬底温度以及硅烷和...