氧化镓(Gallium oxide)是一种半导体材料,化学式为Ga2O3,具有类似于氧化铝的结构。氧化镓具有较宽的能隙(约4.8 eV),因此在紫外光范围内具有较高的透明度。它也具有很高的击穿场强与热稳定性,因此被广泛研究用于功率电子器件。 功率器件是用于控制和调节电力流动的电子器件。氧化镓可以用作功率器件的材料,主要应用于...
氧化镓功率器件是一种基于氧化镓(AlGaN/GaN)半导体材料的晶体管。其工作原理是利用氧化镓材料的特殊结构和材料特性来实现电流的控制和放大。在氧化镓材料中,可以形成高电子迁移率、高电子浓度和高电场承受能力的二维电子气(2DEG)。通过对2DEG的控制,可以实现高速开关和高功率放大。 1. 高功率密度:氧化镓功率器件具有...
一、基本原理 氧化镓功率器件是一种基于氧化镓半导体材料制成的功率元件,其基本原理是利用氧化镓材料的高导电性和高信号传输速度,来实现高效率、低噪声的功率转换。其工作原理主要是通过调控材料原子之间的能级差异,来控制材料的电导率和电阻率。 二、分类 根据不同的工作原理和结构形式,氧化镓功率器件可以分为多...
氧化镓功率器件是一种基于氧化镓材料制造而成的半导体器件。氧化镓具有优越的电性能,使得氧化镓功率器件在功率放大和开关控制等方面具有独特的优势。其工作原理是通过合理设计器件结构,通过施加适当的激励信号,使氧化镓材料的电子在导带和价带之间发生转移,从而实现电流的控制和功率的放大。 氧化镓功率器件具有许多独特的特...
免费查询更多氧化镓功率器件详细参数、实时报价、行情走势、优质商品批发/供应信息等,您还可以发布询价信息。
在电学特性方面,凭借其超宽带隙特性(4.8 ~5.1 eV),氧化镓的击穿场强理论上可以达到8 MV/cm,是硅的20倍以上,氮化镓的2.5倍、碳化硅的3倍多;同时,氧化镓功率器件品质因子(如直流低损耗Baliga品质因子等)明显优于碳化硅、氮化镓等。因此,在功率器件上使用氧化镓可显著提升器件输出电流密度和功率密度,...
期间,“平行论坛1:功率半导体器件设计及集成应用”上,中国电子科技集团公司第十三研究所重点实验室高级工程师敦少博带来了题为“高耐压氧化镓功率器件研制进展与思考”的主题报告。 报告中介绍,超宽禁带氧化镓临界击穿场强是Si的30倍,SiC的3倍,更适合制备高压功率器件。相同耐压,外延层厚度,氧化镓功率器件电阻更低。
一、氧化镓(Ga2O3)的特性和性能 近年来,氧化镓 (Ga2O3)作为继碳化硅 (SiC)和氮化镓(GaN)之后的第三代功率器件材料越来越受到关注。氧化镓是最初研究用于LED基板等的材料。带隙(价带中的电子与导带中的电子之间的能量差)为 5.3 eV。因此,它不仅远超广泛应用于半导体的硅(1.1eV),也远超作为宽禁带半导体而备...
半导体行业正越来越多地转向由碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽带隙材料制成的器件。由于其成本高,开发一种用于电力电子元件的新材料的研究提出了一种超宽带隙材料,称为β-氧化镓(β-Ga2O3)。与过去基于结的设计方法相比,该材料更加关注材料研究,以提高电力电子器件的整体性能。β-GA2O3以其独特的固有特性脱颖而出...
期间,中国电子科技集团第四十六研究所高级工程师霍晓青做了“面向氧化镓功率器件的大尺寸氧化镓单晶材料技术”的主题报告。 Ga2O3 共有五种晶相:、、、,相互之间在特定条件下会有相变发生,其中-Ga2O3是最稳定的相。可用熔体法生长,具备大尺寸、低缺陷、低成本等优点,是最有可能率先实现产业化的超宽带半导体材料...