一种超薄横向双扩散金属氧化物半导体场效应管,包括P型衬底,在P型衬底上设有埋氧层,在埋氧层上设有N型阱区及P型阱区,在N型阱区内设有N型缓冲区,在N型阱区上设有场氧化层,在N型缓冲区内设有N型漏区,在P型阱区内设有P型接触区和N型源区,在场氧化层下方设有由P型阱区单元构成的P型阱区阵列,所述...
横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管,包括:半导体衬底(200),位于所述半导体衬底(200)内的体区(201);位于所述半导体衬底(200)内的漂移区(204);位于所述体区(201)内与所述漂移区(204)相隔开的源区(205)和体引出区(202);位于所述漂移区(204)内的场区(208)和...
摘要 本发明提出了一种具有变K介质折叠横向双扩散金属氧化物半导体场效应管。利用器件漂移区与场板之间的变K介质层对器件漂移区表面的电场进行调制优化,由于在不同介质处介电常数存在差异产生新的电场峰,新的电场峰对器件漂移区表面的电场进行调制,使得漂移区表面的电场变得更加均匀,从而有效地提高了器件的击穿电压...
本发明提出了一种高K介质(High‑K Dielectric Pillar,HK)沟槽横向双扩散金属氧化物元素半导体场效应管(LDMOS)及其制作方法。该器件的主要是在漏端形成深槽高介电常数介质层,高K介质沟槽层的下端深入到器件衬底上方的外延层,上端与器件的漏电极相连接。HK介质沟槽与元素半导体材料衬底形成MIS电容结构,器件关断时能够...
提出了一种具有凹陷的源电极接触的横向DMOS及形成横向DMOS的方法.根据本发明实施例的横向DMOS包括凹陷的源电极接触,其中该凹陷的源电极接触包括凹陷部分,所述凹陷部分纵向延伸穿过横向DMOS的源区并与其体区接触,并且所述凹陷部分与所述源区和所述体区电气耦接.根据本发明实施例的横向DMOS不仅具有较小的尺寸而且生产成本...
本公开的实施例揭露了一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(DMOS).该横向DMOS可以包括阱区,源区,漏区,第一栅区以及第二栅区.该第一栅区形成于所述阱区的靠近所述源区一侧的部分之上.该第二栅区形成于所述阱区的靠近所述漏区的部分之中,该第二栅区包括浅沟槽隔离结构,制作于所述阱区中的浅沟槽内...
本发明提供一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOS),属于半导体功率器件技术领域.该LDMOS包括:源区,栅介质层,漏区,漂移区,场氧化层,栅极以及独立设置在场氧化层之上的用于提高LDMOS的崩溃电压的场区辅助电极;栅极包括对应设置在栅介质层之上的第一部分和从所述第一部分延伸至部分所述场氧化层之上的第二...
本发明提供一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOS),属于半导体功率器件技术领域.该LDMOS包括:源区,栅介质层,漏区,漂移区,场氧化层,栅极以及独立设置在场氧化层之上的用于提高LDMOS的崩溃电压的场区辅助电极;栅极包括对应设置在栅介质层之上的第一部分和从所述第一部分延伸至部分所述场氧化层之上的第二...
本发明公开了一种带有电荷可调型场板的N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管,包括:P型半导体衬底,P型半导体衬底上设有N型漂移区和P型阱,在P型阱上设有N型源区,P型接触区和栅氧化层,在N型漂移区上设有N型漏区和场氧化层,其特征在于,所述场氧化层表面设有多个电荷可调型场板,每个电荷可调型场板上均...
本发明涉及一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管,包括:沟槽栅极,包括沟槽内的下部和沟槽外的上部,下部在导电沟道宽度方向上的长度小于上部,下部伸入体区且小于体区的深度;绝缘结构,设于漏极区和沟槽栅极之间并向下伸入漂移区,绝缘结构的深度小于漂移区,绝缘结构在漂移区内的深度大于场氧层在漂移区内的深度,绝缘...