ダイオード、 N-ch MOSFET, 650 V, 0.09 Ω@10V, TOLL, DTMOSⅥ|データシートのダウンロード、製品概要を確認することができます。
ドレイン-ソース間電圧 VDSS -40 V ゲート-ソース間電圧 VGSS -20/+10 V ドレイン電流 ID -7 A 許容損失 PD 1.5 W 電気的特性 項目記号測定条件値単位 ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - -2.0 V ゲートしきい値電圧 (Min) Vth - -0.8 V ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(...
400V - 900V MOSFET、 N-ch MOSFET, 60 V, 0.0054 Ω@10V, TO-220SIS, U-MOSⅧ-H|データシートのダウンロード、製品概要を確認することができます。
世代U-MOSⅢ 内部接続シングル AEC-Q101適合(※) RoHS Compatible Product(s) (#)適合品あり (※)詳細については弊社営業窓口へ問い合わせ下さい。 推奨品 本製品は量産品になります。新製品がありますので、新規設計時には併せてご検討下さい。
□動作品 TOSHIBA 東芝 VCS500 V サイクロンクリナ トルネオV 掃除機 シルキバイオレット 2017年製 121361 140□ 1元 剩:1天 東芝 サイクロン式掃除機 トルネオ ミニ VCC3 R グランレッド ジャンク 1元 剩:3天 ○動作品 東芝 TOSHIBA 掃除機 ヘッド 吸い口 床ブラシ VCC7 VCC6 VCYG610M VC...
12V - 300V MOSFET、 N-ch MOSFET, 100 V, 0.0048 Ω@10V, TO-220, U-MOSⅧ-H|データシートのダウンロード、製品概要を確認することができます。
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣佈,在其TOLL(TO-無引線)封裝的DTMOSVI系列中推出650V超接合面功率MOSFET, TK065U65Z, TK090U65Z, TK110U65Z, TK155U65Z 和TK190U65Z, 今日開始量產出貨。 TOLL是一種表面貼裝型封裝,所需空間比常見的D2PAK封裝小27%。它也屬於4引腳型封裝,能夠對閘...
擴大U-MOS X-H功率MOSFET系列產品陣容 東芝電子元件及儲存裝置株式會社(東芝)推出80V N溝道功率MOSFET為採用最新一代製程的「U-MOS X-H系列」。 產品適用於資料中心和通訊基地台中所用的工業設備的開關電源。 新產品為兩款封裝,一款為採用表面黏著SOP Advance封裝的TPH2R408QM以及TSON Advance封裝的TPN19008QM。
東京--(美國商業資訊)--東芝公司(TOKYO:6502)旗下儲存與電子元件解決方案公司今日宣布針對快速充電器推出支援4.5V邏輯電平驅動的100V N溝道功率MOSFET,以此擴大其低電壓N溝道功率MOSFET的產品陣容。「U-MOS VIII-H系列」的兩款新MOSFET分別是TPH4R10ANL和TPH6R30ANL,產品出貨即日啟動。
- 支援4.5V邏輯電平驅動 註: [1] 截至2017年12月18日,針對具備等效額定值的MOSFET。東芝電子元件及儲存裝置株式會社調查。 [2] TPH3R70APL的RDS(ON)× Qoss值比U-MOS VIII-H系列TPH4R10ANL低10%。 TPH3R70APL的RDS(ON)× QSW值比U-MOS VIII-H系列TPH4R10ANL低10%。