Input Voltage VIN 6.0 V Power Dissipation (mounted on glass-epoxy board(40mm×40mm)) PD 800 mW 電器特性 項目符號條件值單位 Operating Output Current (Max) IOUT - 300 mA Operating Input Voltage * VIN - 1.5 to 5.5 V Output Voltage (Typ.) VOUT - 1.0 V Output Voltage Lineup VOUT - 0.8...
VOUT - 1.0 V 出力電圧ラインアップ VOUT - 0.8 to 5.0 V 出力電圧精度(±) * - - 1.0 % バイアス電流(消費電流) (オン時) (Typ.) * IB(ON) IOUT=0mA 0.34 μA スタンバイ電流 (オフ時) (Typ.) * IB(OFF) - 0.03 μA ドロップアウト電圧 (Typ.) ...
電源管理IC, 300 mA Fixed Output LDO Regulator, 1.0 V, WCSP4F|Find data sheet and product information.
新推出的IC採用5A[1]2通道輸出驅動,有助於縮小黏著面積。此外,並聯模式下也可以提供10A[1]單通道驅動。兩種驅動可以菊鍊式連接,還具有僅透過SPI通訊控制馬達的功能,這兩種方法都有助於減少MCU埠。新款馬達驅動採用尺寸為6.0 mm x 6.0 mm的小型QFN封裝,旨在滿足市場提出的系統小型化需求。 主要特性 內建2通道H橋...
東京--(美國商業資訊)--東芝公司(TOKYO: 6502)旗下儲存與電子元件解決方案公司今日宣布推出第二代650V碳化矽(SiC)肖特基勢壘二極體(SBD),該二極體將該公司現有產品所提供的順向浪湧電流(IFSM)提高了約70%。新系列八款碳化矽肖特基勢壘二極體出貨即日啟動。 &n
TK10A60D5停產產品 Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) 交換式電源供應器工具庫 Online Circuit Simulator 聯繫我們 參數搜尋 全部 Data sheet 應用說明 Other PREV 數據表 TK10A60D5 數據表/日文[Jun,2018]PDF: 395KB 數據表 TK10A60D5 數據表/英文[Sep,2017]PDF: 299KB Simulation Model...
AC 200V 相電流(有效值) 10A 最大輸出 2kVA 開關效率 15Hz 通過與A公司的溝通,確認使用IGBT的現有機型的損耗情況如下: IGBT損耗(每個器件) 擊穿 相電流10A時:14.4W 導通損耗: 4.4W 開通損耗: 3.1W 關斷損耗: 6.9W 替換為SiC MOSFET時的損耗檢查 ...
TK10A80W データシート/英語[2016年10月]PDF: 412KB シミュレーションモデル PSpiceモデル[2017年01月]lib: 3KB シミュレーションモデル LTspiceモデル[2019年03月]mod: 21KB 熱シミュレーションモデル 簡易CFDモデル[2024年04月]ZIP: 11KB 信頼性情報 信頼性データ[2024年...
[2] 一般測試條件:VIN=VOUT+1V(VOUT>1.5V),VIN=2.5V(VOUT≤1.5V),CIN=1.0μF,COUT=1.0μF(除非另有說明) 有關東芝電子元件及儲存裝置株式會社LDO穩壓器產品陣容的更多資訊,請造訪如下連結: https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/linear/power-supply/ldo-regulator.html ...
IC=-10A-3.0V ドキュメント すべて選択 チェックボックスが無効化されているドキュメントは、一括ダウンロードの対象外です。 すべて(9) データシート(2) 信頼性情報(1) アプリケーションノート(5) カタログ(1) 名称 日付 ...