一是轴向螺旋位错生长机理； 二是 VLS 生长机理。轴向螺旋位错生长机理适用于解释液相及气相中晶须的生长过程，例如本实验； VLS 生长机理适宜于解释气相中晶须的生长过程。亚稳态的文石相存在一定数量的螺旋位错，从而降低自由能，螺旋错位的裸露点可以不断提供晶体生长的起始点并生成新的裸露点，从而在更低的临界...
当镀层表面的小突起不足以缓释晶须生长介质中直达表面的应力时,就会借助晶须的生长来消除。例如在石英基板上分别真空沉积Cu/Sn双层薄膜和单层Sn薄膜,发现晶须只在下面有Cu层的Sn上出现,据此把Cu/Sn镀层结构中晶须生长的内部压应力归结为Cu6Sn5金属间化合物(IMC,Intermetallic Compound)的形成,并发展出晶须形成和生长的...
图7表示了在镀层表面上施加压力时,进行接触模拟试验时的触点晶须生长的情况。 图7 接触力对触点晶须生长的影响 三、Sn晶须生长的机理 Sn晶须在室温条件下自生长过程是应力产生和松弛同时进行的动力学过程。因此,研究晶须的生长机理时必先了解其应力的产生、应力松弛的发生机制和晶须的生长特征等。 1)应力产生机制 应...
硫酸钙晶须是一种单晶体,其生长过程主要遵循轴向螺旋错位生长机理,符合 Harlman 和 Perdoek 等人提出的周期链理论。硫酸钙的晶体结构是以[SO42-]四面体与 Ca2+相互联结,形成了平行于(010)面的双层轴向,是晶体生长的主要方向,正是由于其轴向和侧面存在的生长速率差异,完成了其形态一维位错延伸。生石膏溶解,释放出结...
β—SiC晶须的合成及生长机理第1期 1992年3月 ,7-Z/ 纤维复合材料 FIBERC0MPOSITES №.119 Mar.,l992 ≯一f5晶f碳化,,磺乡庄 -- SIC晶须的合成及生长机理马峻峰 (山东工业陶瓷研究设计院)7-0;p~7,j [提要] m高峙±,超细琅埒为鼠科采甩碗热还原方法台成出佳能良好的日一sic晶须,井研究了碳粉加入...
摘要对VLS机理下稻壳合成SiC晶须(SiCW)及生长动力学进行了研究。结果表明,SiO2与C在 高温下生成SiO的反应是SiC晶须生长的速率控制步骤;在形成晶须的催化剂作用下,SiC晶须的生长 速率与SiO在催化剂熔球周围的浓度成正比;SiC晶须生长的催化选择性随温度的增加而提高;复合催 ...
锡晶须生长机理研究的现状与问题
生长机理以Mgcl2,MgSO4和氨水为原料,采用一步法水热合成碱式硫酸镁晶须[MgSO4·5Mg(OH)2·2H2O,magnesium hydroxide sulfate hydrate,MHSH].用扫描电镜,透射电镜,X射线能谱仪和X射线衍射仪等对产物的形貌和组成进行表征,结果表明:采用一步法190℃水热反应5 h合成的MHSH晶须呈纤维状,且一端聚集成扇形,晶须...