摘要对VLS机理下稻壳合成SiC晶须(SiCW)及生长动力学进行了研究。结果表明,SiO2与C在 高温下生成SiO的反应是SiC晶须生长的速率控制步骤;在形成晶须的催化剂作用下,SiC晶须的生长 速率与SiO在催化剂熔球周围的浓度成正比;SiC晶须生长的催化选择性随温度的增加而提高;复合催 ...
β—SiC晶须的合成及生长机理第1期 1992年3月 ,7-Z/ 纤维复合材料 FIBERC0MPOSITES №.119 Mar.,l992 ≯一f5晶f碳化,,磺乡庄 -- SIC晶须的合成及生长机理马峻峰 (山东工业陶瓷研究设计院)7-0;p~7,j [提要] m高峙±,超细琅埒为鼠科采甩碗热还原方法台成出佳能良好的日一sic晶须,井研究了碳粉加入...
SiC晶须生长工艺生长机理本研究采用固相合成法,利用稻壳作原料,在前期工作的基础上,通过改变反应气氛和催化剂的用量生长出了三种规格(直径分别为:0.2—0.8μm,0.5—1.5μm,3—5μm)的SiC晶须,并且晶须直径均匀,表面光滑,分析了有、无氢气参与反应的两种机理,提出了改变工艺条件对晶须生长过程中横向增厚的控制作用。
本文以稻壳为原料,对非金属催化剂合成的多节状SiC晶须(简称SiCw)进行了研究,运用TEM,XRD等分析检测技术,对SiCw的形貌及显微结构进行了分析.研究表明:SiCw产品以直晶为主,表面粗糙,呈多节状;晶须以β SiC为主要晶型,少量α SiC以孪晶,位错,层错等晶体缺陷形式存在.此外,机理研究表明,多节状SiCw为VS生长机理关...
对VLS机理下稻壳合成SiC晶须(SiCw)及生长动力学进行了研究,结果表明,SiO2与C在高温下生成SiO的反应是SiC晶须生长的速率控制步骤;在形成晶须的催化剂作用下,SiC晶须的生长速率与SiO在催化剂熔球周围的浓度成正比;SiC晶须生长的催化选择性温度的增加而提高.复合催化剂可提高合成SiC晶须反应速率及催化选择性。关键...
SiC晶须生长的催化选择性随温度的增 加而提高;妻旮催化剂可提高合成SiC晶须的反应速率夏催化选择性.Sic晶须是近十几年才发展起来的高技术结构新材料,具有类金刚石晶体结构.高度取向性 的短纤维单晶体.由于Sic具有很好的比强度和比弹性模量,以及耐磨,耐腐蚀等优良特性,作 ...
碳化硅晶须合成VLS对VLS机理下稻壳合成SiC晶须(SiCW)及生长动力学进行了研究.结果表明,SiO2与C在高温下生成SiO的反应是SiC晶须生长的速率控制步骤;在形成晶须的催化剂作用下,SiC晶须的生长速率与SiO在催化剂熔球周围的浓度成正比;SiC晶须生长的催化选择性随温度的增加而提高;复合催化剂可提高合成SiC晶须的反应速率及...
β-SiC晶须碳化硅合成碳纤维以高岭土,超细碳粉为原料,采用碳热还原方法合成出性能良好的β—SiC晶须,并研究了碳粉加入量,烧成温度对β—SiC晶须产率的影响.结果表明,烧成温度1500～1600℃,碳粉加入量4～10%(wt)为较好的晶须合成条件.该方法制备β—SiC晶须的生长机理为"VS"机理.doi:CNKI:SUN:QWFC.0.1992-01-...
晶体生长稻壳是生长SiC晶须的一个重要资源,研究表明,稻壳内部结构中的SiO2与C是生成SiC颗粒的主要因素,外源SiO2的加入能提高SiC晶须的产率,SiC晶须的含量可达30%左右.杂质含量影响SiC晶须的形貌与结构,并从理论上探讨了SiC颗粒及β-SiC晶须的生长机理.doi:CNKI:SUN:HGXC.0.1996-02-004王启宝中国矿业大学(北京)化学...
摘要: 本语文以稻壳为原料,对非金属催化剂合成的多节状SiC晶须进行了研究,运用TEM,XRD等分析检测技术,对SiCw的形貌及显微结构进行了分析.研究表明:SiCw 直晶为主,表现粗糙,呈多节状;晶面以β-SiC为主要晶型,少量α-SiC孪晶,位错,层错等晶体缺陷形式存在.此外,机理研究表明,多主SiCw为VS生长机理.关键词:...