具有三段式埋氧层的半导体场效应晶体管,其特征在于:包括底部为作为支撑层的硅底层(1)和埋氧层(2);所述硅底层(1)的上表面中间有一个凹槽,凹槽内生长有一段埋氧层(2),在凹槽两侧的硅底层(1)的上表面还分别生长有埋氧层(2),一共三段埋氧层(2);位于凹槽内的埋氧层(2)上为硅顶层,位于硅底层(1)的上...
可见,由邻近的射基结注射过来的空穴可在反偏的集基结造成大电流,这就是晶体管的放大作用(transistor action),而且只有当此两结彼此足够接近时才会发生,因此此两结被称为交互p‒n结(interacting p‒n junction)。 相反地,如果此两p‒n结距离太远,所有入射的空穴将在基区...