场效应晶体管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分别发明,但是实用的器件一直到1952年才被制造出来(结型场效应管)。1960年Dawan Kahng发明了金属氧化物半导体场效应晶体管,从而大部分代替了JFET,对电子行业的发展有着深远的意义。 折叠编辑本段器件简介 ...
百度试题 题目关于场效应管和晶体管的输出特性曲线三个区域的对应关系,下列说法正确的是( )A.可变电阻区对应于饱和区B.恒流区对应于放大区C.夹断区对应于截止区 相关知识点: 试题来源: 解析 A,B,C
它们分别与三极管的基极b、发射极e和集电极c相对应。夹在两个P+N结中间的N区是电流的通道,称为导电沟道(简称沟道)。 这种结构的管子称为N沟道和P沟道结型场效应管,它在电路中用下图所示的符号表示,栅极上的箭头表示栅-源极间的P+N结正向偏置时,栅极电流的方向(由P区指向N区)。 N沟道和P沟道结型场效应管...
MOS管,即金属(Metal)—氧化物(Oxide)—半导体(Semiconductor)场效应晶体管,是一种应用场效应原理工作的半导体器件。 和普通双极型晶体管相比,MOS管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势,在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域得到了越来越普遍的应用。
截止区(对应于GTR的截止区) 饱和区(对应于GTR的放大区) 非饱和区(对应GTR的饱和区) 工作在开关状态,即在截止区和非饱和区之间来回转换。 漏源极之间有寄生二极管,漏源极间加反向电压时导通。 通态电阻具有正温度系数,对器件并联时的均流有利。 (3)动态特性 ...
而 MOS场效应晶体管又分为 N沟耗尽型和增强型; P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。(三)、场效应管的参数 场效应管的参数很多, 包括直流参数、 交流参数和极限参数, 但一般使用时关注以下主要参数:1、饱和漏源电流。 是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中, 栅极电压=0时的漏源电流。2、夹断电压。是指...
1.截止区 vGS<Vt 此时vDS为任意值也无法改变状态 MOS相当于开路 截止区 2.饱和区 饱和区电流和电压关系 从图中可以看出电流的表达式中是没有VDS的,是一个定值 饱和区 3.变阻区 工作条件 为了方便说明 引入一个新的参数--“过驱动电压”它是指的VDS的值 不是VGS的 它是饱和区和变阻区的分界面 ...
方法1:根据三极管工作状态时各个电极的电位高低,从而判别三极管的工作状态。 方法2:先假设是在饱和区,在计算C E两端的电压,以0.3V(具体电压根据芯片手册选择)作为饱和区放大区的判断标准,小于则为饱和模式,大于则为放大模式;当c e间电压为无穷大时即为截止区!