场效应晶体管（ Field Effect Transistor 缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子 , 即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电 ,因此称为双极型晶体管 , 而 FET仅是由多数载流子参与导电 , 它与双极型相反 , 也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（ 108～109Ω...
场效应管的工作区域主要分为截止区、线性区和饱和区三个部分。不同的工作区域具有不同的特点,需要根据具体的电路要求进行选择。 1. 截止区 当栅极电压小于等于截止电压时,场效应管处于截止状态,此时漏极-源极通路完全截断,导通电阻非常大(近似为无穷大)。 2. 线性区 当栅极电压大于截止电压,但小于临界电压时...
为区分之,可用手分别触摸G1、G2极,其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。 目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管,平时就不需要把各管脚短路了。 MOS场效应晶体管在使用时应注意分类,不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高(包括MOS集成电路)极易被静电击穿,使用时应注意以下规则: (1)MOS器件出厂...
场效应管简介场效应管 Field Effect Transistor 简称 FET 是利用电场效应来控制半导体中电流的一 种半导体器件, 故因此而得名。 场效应管是一种电压控制器件, 只依靠一种载流子参与导电 , 故又称为单极型晶体管。与双
1、结型场效应管的管脚识别 场效应管的栅极相当于晶体管的基极,源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档,用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等,均为数KΩ时,则这两个管脚为漏极D和源极S(可互换),余下的一个管脚即为栅极G。对于有...
1、功率场效应晶体管(MOSFET)基本知识功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管,是一种单极型的电压控制器件,不但有自关断能力,而且有驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。由于其易于驱动和开关频率可高达500kHz,特别适于高频化电力电子装置,如应用于DC/DC变换、开关电源、便携式电子...
截止区时晶体管近似开路 。放大区中集电极电流与基极电流成比例 。饱和区晶体管相当于闭合开关 。NPN双极型晶体管可用于信号放大电路 。也常用于数字电路中的开关应用 。JFET场效应晶体管是电压控制型器件 。分为N沟道和P沟道两种类型 。以N沟道JFET为例讲解其结构 。 由两个高掺杂的P区形成耗尽层 。导电沟道在...
MOS管,即金属(Metal)—氧化物(Oxide)—半导体(Semiconductor)场效应晶体管,是一种应用场效应原理工作的半导体器件。 和普通双极型晶体管相比,MOS管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势,在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域得到了越来越普遍的应用。
晶体三极管等，以后我们统称为晶体管BJT(BipolarJunctionTransistor)。1.3.1晶体管的结构和类型 NPN型C NPNE PNP型 集电极集电极 CPN P B 基极 B B基极 E 发射极 发射极 CBIBE ICBIEIB C IC E IE NPN型三极管 PNP型三极管 集电区：面积较大 CNPNE 集电极 B 基极 基区：较薄，掺杂浓度低 ...