因此，人工制造大尺寸rBN晶体是长期以来的一个难题，也是竞相攻坚的一个方向。图1. 斜面台阶外延生长多层菱方氮化硼单晶的原理和制备流程 中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心表面物理实验室自王恩哥院士创建SF1课题组以来，深耕硼碳氮轻元素材料表面制备科学三十年，取得了系统性创新成果。近些年来，团队负...
第一阶段,晶体尺寸很小,晶体的运输动力学较大,冰晶生长主要由本征的结晶动力学决定,因此冰晶表现出比较完美的正六边形(三个轴向长度基本一致);而到第二阶段,随着晶体尺寸的长大,晶体的运输动力学赶不上结晶动力学,生长取决于运输动力学,而台阶的存在更有利于水分子的输运,这时冰晶沿着台阶方向生长较快,形状也沿着a1方...
晶体生长的台阶列运动的一个基本特点 …期人工晶体第24卷第1期人工晶体V.I.24N0.1 February,1995 晶体生长的台阶列运动的一个基本特点 / . 呈蠹匙维卓殷之文 (中国科学院上海硅酸盐研究所,上海201800) 小松启./ (日本东北大学壹]I丽牵磊,仙台980) 0 撮要:本文介绍了用实时观察方法研究水溶液中晶体生长长...
采用原子力显微镜(AFM)研究发现[3]: KDP 晶体(101)面的生长是基本生长台阶的 移动所致; 而(100)面的生长则是由多个基本生长台阶聚并而成的台阶(聚并台阶)的 移动的结果. 晶体表面的台阶聚并是晶体生长过程中最为普遍的现象之一, 生长过程中溶质的输 运效应[4]、液流的性质[5]及表面扩散[6]等都会影响...
台阶生长的动力学系数、台阶自由能、溶质在边界层内的扩散特征以及激发晶体生长台阶的位错活性.实验表明, KDP中不同活性位错的台阶动力学系数差异较大,例如高活性和低活性台阶动力学系数分别为10.3×10-2和5.21×10-2 cm/s,位错源在晶体表面的形状、面积的变化,以及Burgers矢量的变化是造成晶体生长动力学测量数据...
其台阶生长的动力学系数,台阶自由能,溶质在边界层内的扩散特征以及激发晶体生长台阶的位错活性.实验表明, KDP中不同活性位错的台阶动力学系数差异较大,例如高活性和低活性台阶动力学系数分别为10.3×10-2和5.21×10-2 cm/s,位错源在晶体表面的形状,面积的变化,以及Burgers矢量的变化是造成晶体生长动力学测量数据...
1.一种保护水溶液生长晶体表面台阶的方法,包括步骤如下: 将水溶液生长晶体从溶液中取出,浸入到第一有机溶液中进行涮洗,去除水溶液生长晶体表面的水溶液;所述的第一有机溶液的密度小于水的密度,水溶液生长晶体不溶解于第一有机溶液。 2.根据权利要求1所述的保护水溶液生长晶体表面台阶的方法,其特征在于,浸入第一...
采用激光偏振干涉手段实时测量了KDP晶体(100)面的生长速度与过饱和度之间的关系,用AFM技术观察了KDP晶体(100)面在不同过饱和度下的基本台阶和聚并台阶形貌,并据此分析了由基本台阶到聚并台阶的过程及其与过饱和度之间的关系.研究表明:过饱和度为1.8%时,(100)面上以基本台阶为主,基本台阶的高度为0.366nm,约为半...
?在回答刃位错是否可以作为晶体生长的台阶源的问题之前,有必要简单回顾一下关于晶体生长机制的某些论点.晶体(确切地说是晶面)要生长,要求在晶面上存在有生长台阶.对于粗糙面(按照晶体生长的现代理论[1-9],此时该晶面的粗糙化相变温度tr低于晶体生长温度t),这是不成问题的,因为在它上面有着大量可供生长单元结合在其...