因此，人工制造大尺寸rBN晶体是长期以来的一个难题，也是竞相攻坚的一个方向。图1. 斜面台阶外延生长多层菱方氮化硼单晶的原理和制备流程 中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心表面物理实验室自王恩哥院士创建SF1课题组以来，深耕硼碳氮轻元素材料表面制备科学三十年，取得了系统性创新成果。近些年来，团队负...
第一阶段,晶体尺寸很小,晶体的运输动力学较大,冰晶生长主要由本征的结晶动力学决定,因此冰晶表现出比较完美的正六边形(三个轴向长度基本一致);而到第二阶段,随着晶体尺寸的长大,晶体的运输动力学赶不上结晶动力学,生长取决于运输动力学,而台阶的存在更有利于水分子的输运,这时冰晶沿着台阶方向生长较快,形状也沿着a1方...
该预测方法包括下述步骤:(1)采用XRD对金刚石晶体的晶面进行Φ扫描,找到最强衍射峰;(2)旋转金刚石晶体以使得最强衍射峰的Φ值置于0~90°之间,定义此时与X射线方向连线的夹角<45°的分别为测试点2和测试点4;(3)对金刚石晶体的晶面进行Χ扫描得到Χ1和Χ2;(4)当0.5°≤|Χ1|<6°且|Χ2|<6°时,则能形成...
专利摘要:本申请公开了一种金刚石晶体生长台阶流的预测方法,属于金刚石制备技术领域。该预测方法包括下述步骤:(1)采用XRD对金刚石晶体的晶面进行Φ扫描,找到最强衍射峰;(2)旋转金刚石晶体以使得最强衍射峰的Φ值置于0~90°之间,定义此时与X射线方向连线的夹角<45°的分别为测试点2和测试点4;(3)对金刚石晶体的晶...
人工晶体第24卷面就只能按位错生长方式进行晶体生长螺位错生长是一种比较容易观察到的位错生长.见图1,2所示当螺位错的位错线在晶体光滑面上露头时,位错线的露头点便可形成晶体生长的台阶.这一台阶为晶体生长提供了连续生长的台阶源,它在晶体生长过程中永远不会消失.这样在晶体的光'措面上便会形成一组由台阶列...
证券之星消息,根据企查查数据显示天岳先进(688234)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种金刚石晶体生长台阶流的预测方法”,专利申请号为CN202410579033.X,授权日为2024年7月19日。 专利摘要:本申请公开了一种金刚石晶体生长台阶流的预测方法,属于金刚石制备技术领域。该预测方法包括下述步骤:(1)采用XRD对金刚石晶体...
近日,扬州大学的青年教师刘征博士以及庞欢教授等人在Angewandte Chemie International Edition发表研究论文,分析了螺旋凹面结构的普鲁士蓝(SC-HCF)晶体的成核和生长机理,并绘制其晶体生长相图。随后,利用配位调控策略,制备了不同金属掺杂的螺旋凹面普鲁士蓝(M-HCF)材料。其他金属引入后,可以有效调节普鲁士蓝的配位环境,并...
KDP晶体台阶生长动力学的激光干涉实验研究 采用迈克尔逊干涉技术,通过测量KDP晶体生长的法向速率和台阶斜率来研究其台阶生长的动力学系数、台阶自由能、溶质在边界层内的扩散特征以及激发晶体生长台阶的位错活性.实验表明, KDP中不同活性位错的台阶动力学系数差异较大,例如高活性和低活性台阶动力学系数分别为10.3×10-2和...
【摘要】采用激光偏振干涉手段实时测量了 KDP 晶体(100)面的生长速度与过饱 和度之间的关系,用 AFM 技术观察了 KDP 晶体(100)面在不同过饱和度下的基本台 阶和聚并台阶形貌,并据此分析了由基本台阶到聚并台阶的过程及其与过饱和度之 间的关系.研究表明:过饱和度为 1.8%时,(100)面上以基本台阶为主,基本台...