在传统的纯ZnSO4电解液中,锌晶体的生长过程如图1a所示。在1至100 mA cm−2的电流密度范围内,晶体生长行为主要由动力学控制。由于其低指数和快速生长率,(002)晶面在初始阶段展现出较大的暴露面。然而,根据布拉维法则,随着锌晶体的逐渐...
在论文中看到说立方晶体的择优生长是<100>,求解释？
同一种有机化合物，其粉末衍射强度不一样，可能的原因是其晶体生长的择优取向不同。如果有人见过类似...
氧压对PLD法硅上生长c轴取向LiNbO3晶体薄膜的影响 本文采用脉冲激光沉积(PLD)法在Si衬底上生长c轴取向LiNbO3(LN)晶体薄膜,研究氧气压强对薄膜质量的影响.结果表明,氧压是生长c轴择优取向LN薄膜的一个重要影响参数.X射... 王新昌,叶志镇,何军辉,... - 《真空科学与技术学报》 被引量: 4发表: 2003年 ...
激光脉冲沉积法在Si(100)上生长c轴择优取向的LiNbO3晶体薄膜及其性能 维普资讯 http://www.cqvip.com
激光脉冲沉积法在Si(100)上生长c轴择优取向的LiNbO_3晶体薄膜及其性能,激光脉冲沉积法在Si(100)上生长c轴择优取向的LiNbO_3晶体薄膜及其性能..
总结,作者通过利用PFAT调节碘化铅薄膜的形貌、成核和结晶度,获得了择优取向的钙钛矿薄膜,残留的碘化铅量大大减少。该工作通过预调制碘化铅前驱体膜,为实现钙钛矿的良好生长、优化器件的运行性能和稳定性提供了一种新策略。
摘要: 采用激光脉冲沉积(PLD)法在Si(100)衬底上生长得到了完全c轴择优取向的LiNbO3(LN)薄膜,X射线衍射分析表明LN(006)衍射峰的半峰宽为0.35°.利用棱镜耦合器,激光可以被耦合到LN薄膜中,形成TE和TM模式的光波导.测得LN薄膜的折射率n0为2.285,薄膜的厚度为0.199μm.关键词:...
请教:晶体沿着某个方向择优生长,具有某种取向怎么表示比较合理? 返回小木虫查看更多分享至: 更多 今日热帖Material... 求大家帮忙分析电... 求问shelxt... 晶体结构中,化学... GSAS经验分享... 求一能用的Fin... 刚接触MOF,被... 晶体软件问题求助 精华...
请问0.94NaBiTiO3-0.06BaTiO3晶体的（h00）和（111）面，更容易实现哪个面的择优取向生长？同理，...