(Ln=La,Gd)发光材料,以及它们的熔体法晶体生长方法,其掺杂原子百分比浓度为0.01～50%.按比例配制好的原料经充分混合,压制成形,高温烧结后,成为晶体生长的起始原料;生长起始原料放入坩埚经加热充分熔化后,成为熔体法生长的初始熔体,然后可用熔体法如提拉法,坩埚下降法,温梯法及其它熔体法来进行生长;本发明的发光材料...
(Ln=La,Gd)发光材料,以及它们的熔体法晶体生长方法,其掺杂原子百分比浓度为0.01～50%.按比例配制好的原料经充分混合,压制成形,高温烧结后,成为晶体生长的起始原料;生长起始原料放入坩埚经加热充分熔化后,成为熔体法生长的初始熔体,然后可用熔体法如提拉法,坩埚下降法,温梯法及其它熔体法来进行生长;本发明的发光材料...
(Ln=La,Gd)发光材料,以及它们的熔体法晶体生长方法,其掺杂原子百分比浓度为0.01～50%.按比例配制好的原料经充分混合,压制成形,高温烧结后,成为晶体生长的起始原料;生长起始原料放入坩埚经加热充分熔化后,成为熔体法生长的初始熔体,然后可用熔体法如提拉法,坩埚下降法,温梯法及其它熔体法来进行生长;本发明的发光材料...
本发明涉及一种锗酸镓锶晶体的坩埚下降法生长方法,属于单晶生长领域.特征在于:初始原料按SrGaGeO的化学组成均匀混合,在1130-1180℃预烧8-12小时,通过固相反应以去除CO;将取向确定的籽晶放在坩埚底部,再装入合成好的原料,然后将坩埚置于下降法生长炉中;在1400-1500℃以上熔化原料及籽晶顶部,生长界面温梯维持在30～...
本发明提供了一种新型非线性光学晶体硫化镓锗钡及其生长方法与用途,其化学式为BaGa2GeS6(简称BGGS).其化学式为BaGa2GeS6,为非对称中心结构,属于三方晶系,空间群为R3,晶胞参数为:a=9.5967(5)?,b=9.5967(5)?,c=8.6712(7)?,α=β=90°,γ=120°,Z=1,V=691.62?3.它的倍频系数是AgGaS2的0.8倍.采用...
专利名称 非线性光学晶体硫化镓锗钡及其生长方法与用途 申请号 2011103496255 申请日期 2011-11-08 公布/公告号 CN102383196B 公布/公告日期 2016-05-18 发明人 叶宁,林新松 专利申请人 中国科学院福建物质结构研究所 专利代理人 - 专利代理机构 - 专利类型 发明专利 主分类号 C30B29/46(2006.01)I;C30B11/00...
本发明提供了一种新型非线性光学晶体硫化镓锗钡及其生长方法与用途,其化学式为BaGa2GeS6(简称BGGS).其化学式为BaGa2GeS6,为非对称中心结构,属于三方晶系,空间群为R3,晶胞参数为:a=9.5967(5)?,b=9.5967(5)?,c=8.6712(7)?,α=β=90°,γ=120°,Z=1,V=691.62?3.它的倍频系数是AgGaS2的0.8倍.采用...
非线性光学晶体硒化镓锗钡及其生长方法与用途本发明提供非线性光学晶体硒化镓锗钡及其生长方法与用途.BaGa叶宁林新松
本发明提供了一种新型非线性光学晶体硫化镓锗钡及其生长方法与用途,其化学式为BaGa2GeS6(简称BGGS). The present invention provides a novel nonlinear optical crystal gallium germanium sulfide, barium and growth method and use of the formula is BaGa2GeS6 (referred BGGS). 其化学式为BaGa2GeS6,为非对称...
新型非线性光学晶体硫化镓锗钡及其生长方法与用途本发明提供了一种新型非线性光学晶体硫化镓锗钡及其生长方法与用途,其化学式为BaGadoi:CN102383196 A叶宁林新松