百度试题 题目施主杂质的电离能为( )。 A.E C -E VB.E C -E DC.E D -E VD.E A -E V相关知识点: 试题来源: 解析 B
百度试题 结果1 题目施主杂质的电离能___受主杂质的电离能。(填“大于”或“小于”) 相关知识点: 试题来源: 解析 答案:小于
若硅中施主杂质电离能ED = 0.04eV,施主杂质浓度分别为1015 cm-3和1018 cm-3。计算这些杂质99﹪电离; 90﹪电离; 50﹪电离时的温度。 相关知识点: 试题来源: 解析 解:这类题也可利用未电离施主的浓度公式(即电子占据施主能级的几率函数与施主浓度之积) 来求解。该式可重新表示为未电离杂质占杂质总数的...
(2)结合(1)式和(2)式可得其中(EC-ED)代表导带底与施主能级的能量差,显然它就是施主能级的电离能:Ei=EC-ED(4)联立(3)和(4)式,整理可得由于NC∝(T3/2,并考虑到NC(300K)=2.6×1019cm-3,故有×2.6×1019cm-3=1.266×1018cm-3因此施主杂质的电离能为Ei=1.381×10-23×40ln=1.156×10-20J≈0.0722...
施主杂质的电离能 第二章半导体中的杂质和缺陷能级 “水至清则无鱼,人至察则无徒”(班固《汉书·东方朔传》),半导体至纯则难用。半导体的实用价值,在于其物理性质对杂质和缺陷的灵敏依赖性,因而要通过杂质和缺陷的可控调节来实现。由于痕量杂质和缺陷的存在也会改变结晶半导体中的周期势场,在禁带中引入电子...
已知Si中只含施主杂质cm-3。现在40K下测得电子浓度为cm-3,试估算施主杂质的电离能。相关知识点: 试题来源: 解析 解:我们知道电子的浓度为 ………(1) 又因为在40K的低温下,载流子将主要是由施主激发到导带的电子。在这种情况下,导带中电子数目显然和空的施主能级数目相等。因此 ………(2) 联立(1)和(2)式...
对只有一种施主杂质的n型半导体(1)导出在低温弱电离条件下no和 E_F 的表达式(2)试述测定施主杂质电离能 △E_D 实验的理论基础。 答案 【答】(1)对于n型半导体,在低温弱电离区电子浓度为 n_0=n_D+ ,即h_1=N_2ρg_2(-(g_1⋅L_2)/(k_1T_2))=(N_1)/(i+2cos(-(E_2-E_2)/(2 ...
施主杂质的电离能 第二章半导体中的杂质和缺陷能级 “水至清则无鱼,人至察则无徒”(班固《汉书·东方朔传》),半导体至纯则难用。半导体的实用价值,在于其物理性质对杂质和缺陷的灵敏依赖性,因而要通过杂质和缺陷的可控调节来实现。由于痕量杂质和缺陷的存在也会改变结晶半导体中的周期势场,在禁带中引入电子...
导带能量与施主能级的差值称谓施主杂质电离能,即; 问: 受主能级在能带中的什么位置? 施主能级在能带中的什么位置? 结合下图用语言描述。计算能使玻尔兹曼近似成立的最大掺杂浓度及费米能级的位置。相关知识点: 试题来源: 解析 解:考虑时对硅进行了硼掺杂,假设玻尔兹曼近似成立的条件是,已知硼在硅中的电离能是,假...
相关知识点: 试题来源: 解析 被杂质束缚的电子或空穴的能量状态称为杂质能级,电子脱离杂质的原子的束缚成为导电电子的过程成为杂质电离,使这个多余的价电子挣脱束缚成为导电电子所需要的能量成为杂质电离能。杂质能级离价带或导带都很近,所以电离能数值小。 反馈 收藏 ...