若硅中施主杂质电离能ED = 0.04eV,施主杂质浓度分别为1015 cm-3和1018 cm-3。计算这些杂质99﹪电离; 90﹪电离; 50﹪电离时的温度。
若硅中施主杂质电离能 E=0.04eV,施主杂质浓度分别为1015cm3, 1018cm3。计算①99%!离;②90%fe离;③50沁离时温度各为多少? 相关知识点: 试题来源: 解析 解:未电肉杂质占的17分比为:-=Ne k0T• •込切 —又恥=..1/ 变换为;中唸2^ +沧2.7×10k - = ― 04^-x1.6 x 10 -LP = 464 , ...
若硅中施主杂质电离能△e=0.04ev,施主杂质浓度分别为10∧15cm-,10∧18cm-。计算①99%电离②90%电离③50%电离时温度各为多少? 扫码下载作业帮搜索答疑一搜即得 答案解析 查看更多优质解析 解答一 举报 特别推荐 热点考点 2022年高考真题试卷汇总 2022年高中期中试卷汇总 2022年高中期末试卷汇总 2022年高中月考...
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若锗中施主杂质电离能△ED=0.01eV,施主杂质浓度分别为1014cm-3及1017cm-3,计算(1)99%电离,(2)90%电离,(3)50%电离时温度各为多少? 点击查看答案 第2题 在本征硅半导体中,掺人浓度为5x1015cm-3的受主杂质,试指出T=300K时所形成的杂质半导体类型.若再掺人浓度为1016cm-3的施主杂质,则将为何种类型半导体...
若锗中施主杂质电离能△ED=0.01eV,施主杂质浓度分别为1014cm-3及1017cm-3,计算(1)99%电离,(2)90%电离,(3)50%电离时温度各为多少? 点击查看答案 第2题 计算含有施主杂质浓度ND=9X 1015cm3及受主杂质浓度为1.1 X 1016cm-3的硅在300k时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。
若锗中施主杂质电离能△ED=0.01eV,施主杂质浓度分别为1014cm-3及1017cm-3,计算(1)99%电离,(2)90%电离,(3)50%电离时温度各为多少? 点击查看答案 第2题 在本征硅半导体中,掺人浓度为5x1015cm-3的受主杂质,试指出T=300K时所形成的杂质半导体类型.若再掺人浓度为1016cm-3的施主杂质,则将为何种类型半导体...
若硅中施主杂质电离能ED = 0.04eV,施主杂质浓度分别为1015 cm-3和1018 cm-3。计算这些杂质99﹪电离; 90﹪电离; 50﹪电离时的温度。