该过程涉及到氧空位的形成，因此，提高材料的氧空位形成能力对 其催化性能的影响有非常重要的作用。研究表明，掺杂对提升氧空位形成能力有非常显著的作用。1.Cu掺杂的影响 在Cu掺杂的CeO2中，一个Ce原子被一个Cu原子取代。起初Cu原子位于Ce原子周围的8个氧原子中心，随后Cu原子的位置发生移动，Cu以4配位的形式形成...
该过程涉及到氧空位的形成，因此，提高材料的氧空位形成能力对其催化性能的影响有非常重要的作用。研究表明，掺杂对提升氧空位形成能力有非常显著的作用。1.Cu掺杂的影响 在Cu掺杂的CeO2中，一个Ce原子被一个Cu原子取代。起初Cu原子位于Ce原子周围的8个氧原子中心，随后Cu原子的位置发生移动，Cu以4配位的形式形成一...
该过程涉及到氧空位的形成，因此，提高材料的氧空位形成能力对其催化性能的影响有非常重要的作用。研究表明，掺杂对提升氧空位形成能力有非常显著的作用。1.Cu掺杂的影响 在Cu掺杂的CeO2中，一个Ce原子被一个Cu原子取代。起初Cu原子位于Ce原子周围的8个氧原子中心，随后Cu原子的位置发生移动，Cu以4配位的形式形成一...
该过程涉及到氧空位的形成，因此，提高材料的氧空位形成能力对其催化性能的影响有非常重要的作用。研究表明，掺杂对提升氧空位形成能力有非常显著的作用。1.Cu掺杂的影响 在Cu掺杂的CeO2中，一个Ce原子被一个Cu原子取代。起初Cu原子位于Ce原子周围的8个氧原子中心，随后Cu原子的位置发生移动，Cu以4配位的形式形成一...
W掺杂TiO2氧空位Ti合金氧化点缺陷第一性原理为研究Ti合金中常用的基体强化元素W对合金抗氧化性的作用,利用第一性原理方法计算了W掺杂对Ti合金氧化产物金红石TiO2中氧空位形成能的影响.计算发现,W可以显著增大其近邻位置的氧空位的形成能,使其增大将近0.7eV,这将有效抑制氧空位的产生以及环境中氧的渗透,对Ti合金的...
为研究Ti合金中常用的基体强化元素W对合金抗氧化性的作用,利用第一性原理方法计算了W掺杂对Ti合金氧化产物金红石TiO2中氧空位形成能的影响.计算发现,W可以显著增大其近邻位置的氧空位的形成能,使其增大将近0.7eV,这将有效抑制氧空位的产生以及环境中氧的渗透,对Ti合金的抗氧化性是有益的.同时研究了2个氧空位组成...
掺杂元素对CeO2氧空位形成的影响 收藏 分享 下载 举报 用客户端打开
电纺丝N型半导体纳米纤维在电阻式气体传感器中域备受关注,然而关于调控其敏感性能的研究大多是基于在N型半导体纳米纤维表面构建P-N节,针对少量P-型金属离子(Cu2+)掺杂对其产物的晶体结构和氧空位、以及对敏感性能影响的研究相对较少。最近...