通过传统烧结方法获得Ta/Sb掺杂Aurivillius相Bi3TiNbO9陶瓷.XRD图谱显示为单晶结构,表明Ta/Sb掺杂剂进入晶格形成固溶体.本文详细研究了其介电性能,直流电导和压电性能等电性能.在BTN基陶瓷中,氧空位的迁移对介电弛豫,直流电导性能起着主要作用.在高温条件下,用Ta5+/Sb5+取代Ti4+有效抑制氧空位的产生.随着Ta/Sb...
为研究Ti合金中常用的基体强化元素W对合金抗氧化性的作用,利用第一性原理方法计算了W掺杂对Ti合金氧化产物金红石TiO2中氧空位形成能的影响.计算发现,W可以显著增大其近邻位置的氧空位的形成能,使其增大将近0.7eV,这将有效抑制氧空位的产生以及环境中氧的渗透,对Ti合金的抗氧化性是有益的.同时研究了2个氧空位组成...
百度爱采购为您找到海量最新的氧空位对钴掺杂氧化锌半导体磁性能的影响--陈静产品的详细参数、实时报价、行情走势、优质商品批发/供应信息,您还可以免费查询、发布询价信息等。