钙钛矿的择优取向生长是获得高效稳定光伏器件的关键之一。以下是一些实现钙钛矿择优取向生长的方法: -使用反溶剂:使用短链异构醇反溶剂,如异丙醇(IPA)或异丁醇(IBA),IPA和PbI2之间的相互作用会导致一个角共享结构,而不是一个边共享PbI2八面体,避免了这些中间产物的形成。随着IPA的挥发,FA+可原位取代IPA沿(111)方向...
就是晶粒择优地沿001方向生长
AlN薄膜择优取向生长机理及制备工艺 第34卷第6期 人工晶体学报JOURNALOFSYNTHETICCRYSTALS 2005年12月Vo.l34No.6December,2005 门海泉,周灵平,肖汉宁 (湖南大学材料科学与工程学院,长沙410082) 摘要:不同择优取向的AlN薄膜具有不同的物理化学性质和应用,其择 优取向生长机理主要包括热力学的/能量最小化0理论和动力...
择优取向生长的ZnO薄膜的制备及氧化物薄膜生长过程的分子动力学模拟的中期报告一、研究背景随着纳米技术的发展,氧化物薄膜在电子器件、太阳能电池、光电探测器等领域得到广泛应用。ZnO作为一种有广泛应用前景的半导体材料,在太阳能电池、光电器件等领域也受到了广泛关注。通过控制ZnO薄膜的生长方式、结构和性能,可以获得高...
1.一种具有择优取向生长结构电镀铜层,其特征在于:所述 电镀铜层(4)生长在衬底之上,所述衬底自底而上依次包括晶圆基底(1)、粘附层(2)和铜籽晶层(3),所述电镀铜层(4)内部含有Z轴方向择优取向生长的近似柱状晶结构,所述Z轴方向择优取向生长的近似柱状晶结构在Z轴方向上晶粒尺寸大,晶界少,在X轴方向上晶...
在诸多工艺参数中,靶基距、离子束轰击是控制 AlN 薄膜择优取向的最重要工艺参数,靶基距增大容易得到(100)晶面择优取向的 AlN 薄膜,而一定范围内离子束轰击能量和轰击角度的增大会促进(002)晶面择优取向生长。 关键词:AlN 薄膜;择优取向;反应溅射 中图分类号:O484 文献标识码:A 文章编号:10002985X(2005)...
了反应原子的碰撞几率,碰撞次数影响着反应原子到达基片表面时的沉积能量,沉积能量对AlN薄膜的择优取向性至关重要;靶基距的大小决定着反应原子沉积过程中的碰撞次数和薄膜的沉积速率,碰撞次数少薄膜沉积能量高,适合(002)晶面择优取向AlN薄膜的生长,相反,碰撞次数多薄膜沉积能量低,适合(100)晶面择优取向AlN薄膜的生长。
AlN薄膜择优取向XRD表征及其工艺影响 热度: 氮化铝薄膜择优取向生长研究 热度: 宽带隙半导体AIN薄膜的制备及应用 廖克俊,王万录 (重庆大学应用物理系,重庆 400044) 摘要:A1N是一种宽带隙半导体.它具有高温稳定性、高热导率、高弹性模量、非毒性.并且具有 ...
如果线是长成六方柱状且分散性较好，一般会造成（100）择优取向，所以XRD衍射峰（100）会增强，其他...
轴择优取向生长,氧压增大至30Pa以上,薄膜取向逐渐向(1011)面变化.对比衬底影响,玻璃比石英更能促进薄膜的半极性生长.同样地,在石英衬底上,也获得了Mn-Li共掺的ZnO半极性薄膜((1011)取向)通过改变氧压,衬底温度等实验参数获得了(1011)择优取向的半极性Zn(Mn,Li)O薄膜.我们系统的研究和分析了影响取向生长的...