这说明，他们不仅让单层二硫化钼薄膜实现了可控外延和高质量的制备，也实现了器件制造工艺的创新，尤其是实现了栅介电层和金属接触界面的共同优化，借此提高了薄膜晶体管器件单元的综合性能参数。日前，相关论文以《低功耗柔性单层二硫化钼集成电路》（Low power flexible monolayer MoS2 integrated circuits）为题发在 Nature...
图2. MoS2/石墨异质结与MoS2/h-BN异质结界面的超润滑性,蓝色虚线表示超润滑性的极限。 在N2氛围下,两类异质结具有接近的摩擦力(Fr=Fr0+μLtip,Ltip为针尖所加负载力,Fr0起源于边缘钉扎特性),摩擦系数μ(COF)远小于超润滑性的极限10-3(对于MoS2/h-BN,该值约为2.29×10-6)。 图c为归一化摩擦力受扭...
J.Zhang,H.Yu,W.Chen,X.Z.Tian,D.H.Liu,M.Cheng,G.B.Xie,W.Yang,R.Yang,X.D.Bai,D.X.ShiandG.Y.Zhang*,ScalableGrowthofHigh-QualityPolycrystallineMoS2MonolayersonSiO2withTunableGrainSizes.ACSNano8,6024(2014). M.Cheng,D.M.Wang,Z.R.Sun,J.Zhao,R.Yang,G.L.Wang,W.Yang,G.B.Xie,J....
Real-space detection and manipulation of two-dimensional quantum well states in few-layer MoS2 2022 - Yu Wang,Linlu Wu,Zheng Wei,... - 《Physical Review B》 - 被引量: 0 收藏相关文章 A Reliable All Materials Artificial Synapse for High Energy〦fficient Neuromorphic Computing 2021 - Jian Tang...
J. Zhang, H. Yu, W. Chen, X. Z. Tian, D. H. Liu, M. Cheng, G. B. Xie, W. Yang, R. Yang, X. D. Bai, D. X. Shi and G. Y. Zhang*, Scalable Growth of High-Quality Polycrystalline MoS2 Monolayers on SiO2 with Tunable Grain Sizes.?ACS Nano?8, 6024 (2014). ...
因此引起了人们的广泛关注.本文涵盖了近年来与二维材料及其异质结构中自旋-轨道矩研究相关的最新进展,主要包括了基于非磁性二维材料(如MoS2,WSe2,WS2,WTe2,TaTe2,MoTe2,NbSe2,PtTe2,TaS2等)和磁性二维材料(如Fe3GeTe2,Cr2Ge2Te6等)的异质结中自旋-轨道矩的产生、表征和对磁矩的操控等.最后指出了目前研究中...
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