XAL7050 High-inductance Shielded Power Inductors XGL4020 Ultra-low DCR Power Inductors Coilcraft MSS/MOS shielded surface-mount power inductors feature low DC resistance and excellent current handling in a wide range of industry-standard footprints and inductance values, making them a cost-effective opt...
MOS6020-332MLC 3.3 0.046 85.0 1.9 2.3 2.5 2.6 3.6注释 When ordering, please specify termination and packaging codes: e.g. MOS6020-104MLC Inductance measured at 100 kHz, 0.1 Vrms using an Agilent/HP 4263B or equivalent. DCR measured at 25°C on a micro-ohmmeter. For other operating tempe...
MOSFET是电压型驱动器件,驱动的过程就是栅极电压的建立过程,这是通过对栅源及栅漏之间的电容充电来实现的。 图:winsok微硕DFN3.3X3.3-8L封装MOS管 Td(on) :导通延迟时间。从有输入电压上升到 10% 开始到 VDS 下降到其幅值 90% 的时间 Tr :上升时间,输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间 Td(of...
1、电路设计的问题。就是让MOS管工作在线的状态,而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,才能完全导通,P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗,等效直流阻抗比较大,压降增大,所以U*I也增大,损耗就意味着发热。 2、频率太高。主要是有时太过追求体...
MOS管导热硅胶垫片厂家直销 面议 SI2310SOT-23场效应管优势现货 面议 4803MOS晶体管sop-8 面议 低内阻MOS管CH3401中低压MOS管 面议 N-MOS管30V6A低内阻AO3400 面议 MOS管图片 MOS管封装图片场效应MOS管图片大功率MOS管图片场效应管图片更多> UV3205R110A60V场效应管 ...
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流明芯-APM-MOS产品选型手册-2022正式版.pdf APM MOSFET选型表.rar 一、 如何解读MOSFET规格书 注意:下面为两个典型同行的规格书标注 第一个规格书为只标注 Type,第二个规格书 Type 都不标注直接就等于号,这样很容易客户出现误解,把我们规格书首页的最大值去匹配他们的典型值。同时这里面会存在一个隐患,因为MOSF...
MAP 系列 mOSX-C1 光矩阵开关是更广泛的 VIAVI 测试自动化开关产品组合的一部分。mOSX-C1 不仅仅是一个开关,它还是一个低损耗、灵活的测试路由管理器。跨开关结构连接多条测试路由可以实现并行测试过程,并显著降低测试成本。
除非您已经拥有 My Oracle Support (MOS) 帐户,否则不必再获得其他帐户。获取帐户只需几分钟,您只需执行一次此任务。 如果您认为您可能有一个 MOS 帐户,但不确定您的用户名或密码,请按照以下步骤检索登录详细信息。通常,在以下情况下,您已经拥有 MOS 帐户: ...
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