范德华异质结化合物具有天然超晶格结构,其形貌为两种亚层交替堆叠的层状结构,在锂离子电池中表现出良好比容量和稳定性。具有式Ⅰ通式的范德华异质结化合物在锂离子电池中具有较高的比容量和稳定性;(PbS)1.14NbS2在100mAg‑1下能提供710mAhg‑1的比容量,容量保持率约为96%;(SnS)1.17NbS2在100mAg‑1...
用AM1,MNDO和INDO半经验方法研究异质富勒烯C58BN各异构体的结构,稳定性和电子光谱 在6-6位置取代的异构体是最稳定的,异构体的稳定性随杂原子间距离的增加而降低;与C60相比,硼氮杂富勒烯C58BN具有较低的前线轨道能级差、较小的电离势和较低的稳定化能.C58BN很可能具有与C60分子相似的反应活性,易发生亲核反应,...
范德华异质结化合物具有天然超晶格结构,其形貌为两种亚层交替堆叠的层状结构,在锂离子半电池中表现出良好的比容量和稳定性。实验结果表明:具有式ⅰ所示通式的范德华异质结化合物在锂离子电池中作为负极材料具有较高的比容量和稳定性;(pbs) 1.14 nbs2负极材料在100ma g-1 的电流密度下能提供710mah g-1 的比...
硅基异质集成化合物半导体技术新进展
8.本发明还提供一种具有异质结结构的过渡金属化合物的制备方法,该方法包括:将过渡金属氧化物粉末,先在氨气氛围中在300-800 ℃下保温1-10小时;再在氧气/氮气的混合气氛中在100-500℃下保温2-12小时,制得过渡金属氧化物-过渡金属氮化物异质结。 9.本发明还提供一种复合补锂材料,含有:有机锂盐和催化剂,其中,所...
(如 GaN, InP,SiC等)的功能器件,芯片,与 CMOS集成电路的芯片进行异质集成的技术正在拉开序幕, 将在微电子,光电子等领域带来一场新的革命,硅基异质集成也被认为是发展下一代集成微系 统的技术平台.本文梳理了射频微电子学与硅光子学领域中以化合物半导体为主的材料(或 芯片)与硅半导体材料(或芯片)异质集成的...
Arthur提出的组合进化概念与本综述的主题有关，即通过晶片键合和薄层转移实现化合物半导体（CS）的异质集成。将基于CS的器件结合到传统Si技术中的可能性引发了人们的兴趣激增，这是由于这种异质集成可能实现的新颖和改进的功能。在这种情况下，电荷载流子迁移率（与Si相比）高得多，以及一些CS由于其直接带隙（与Si的间接...
在这项工作中,NiSe 2和 CuSe 2的分层异质结构 合成了反应具有高电催化活性的化合物,为铜基化合物在先进能源领域的广泛应用提供了新的可能性。 对析氧 原文链接:Selenium-induced NiSe2@CuSe2 hierarchical heterostructure for efficient oxygen evolution reaction ...
该研究文章设计了一种具有层片状纳米多孔结构的Cu/Al2Cu金属/金属间化合物异质结构材料作为水系锌离子电池的无锌负极,在对其电化学性能进行研究的基础上阐明了异质结构电极对Zn2+剥离/电镀行的调控的内在机理,为进一步开发高性能水系锌离子电池负极提供了新的思路。 图1. 金属/金属间化合物异质结构电极的制备示意图...
1.本发明属于隔膜材料技术领域,特别涉及一种锂硫电池用层状化合物/mxene异质结功能化材料。 背景技术: 2.锂硫电池具有1675mahg-1 的理论比容量和2700whkg-1 的能量密度,是极具潜力的下一代储能电池和动力电池,同时它还具有成本低,环境友好等优势。但是目前锂硫电池仍面临着多硫化物向醚类电解液中溶解这一致命...