现如今,基于硅的集成电路受限于材料特性,集成尺寸已经逐渐逼近物理极限.为了进一步促进集成电路的发展,异质集成技术成为了突破器件性能,延续摩尔定律的重要途经之一.本文以化合物半导体与Si CMOS电路的异质集成技术为目标,开展了基于衬底转移方案的异质集成技术研究,分析了其中的关键工艺环节,并重点针对薄层衬底转移工艺面临...