平面栅型SiC MOSFET(碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种利用碳化硅(SiC)材料制成的功率半导体器件,其工作原理基于MOSFET的基本原理,但采用了SiC这一宽禁带半导体材料,从而具备了更高的性能优势。 基本结构 平面栅型SiC MOSFET主要由栅极、源极和漏极构成,其沟道位于栅极下方的半导体表面。与硅基MOSFET相比,SiC...
可以通过并联一个碳化硅二极管来绕过双极性的体二极管,但这相当于额外的增加了一个器件,所以提出了MOSFET集成JBS二极管的方案,即JBSFET。 此外,由于JBS具有较小的通道密度,它比MOSFET具有更高的短路耐受能力。 SiC 沟槽栅MOSFET 硅基的平面栅到沟槽栅,我们可以在碳化硅中看到平面栅和沟槽栅,但由于一些原因,目前只有部...