针对XPA标记尺寸过大的问题,ASML将XPA标记中的X部分和Y部分拆开来,形成标准型SPM-X和SPM-Y标记应用于ATHENA,长条形的设计使其便于放置在划片槽区域。 为了进一步缩小对准标记占用的面积,ASML又做了进一步的改进,推出了缩短的划片槽主要标记 (SPM),即SSPM,以及变窄的SSPM,即 NSSM。 ATHENA实物图 SMAS
通常,对准标记的尺寸要比其他图形稍大一些,以确保光刻机能够准确识别和对准。 对准标记的制作通常采用光刻工艺,即在芯片表面涂覆一层光刻胶,然后使用光刻机将对准标记的图形暴光在光刻胶上。最后,通过化学腐蚀或离子注入等方式将对准标记的图形转移到芯片表面。 三、光...
金融界 2025 年 4 月 22 日消息，国家知识产权局信息显示，ASML 控股股份有限公司申请一项名为“感测对准标记的设备和方法”的专利，公开号 CN119846909A，申请日期为 2020 年 9 月。专利摘要显示，一种感测对准标记的设备和方法，其中基于自参考干涉仪的传感器输出所述对准标记的静止图像，并且相机装置用以捕获如...
专利摘要显示，一种对准标记及其形成方法、掩膜版图，对准标记包括：基底，包括量测区；介质层，位于基底顶部，介质层中具有位于量测区的检测开口；第一量测标识，位于介质层中，且位于量测区的第一量测标识的顶面被检测开口暴露；第二量测标识，位于介质层中且与第一量测标识错开设置，第二量测标识的延伸方向与...
微纳加工时为保证器件功能正常,属于单一结构的不同光刻步骤的图案必须相互对齐。在光刻技术中,光刻辅助对准标记(以下简称对准标记)是用于实现光刻层之间对准和对位的关键元素,它们是位于光刻掩膜和基片(或芯片)上的特殊图案,通常为一组小而精确的几何形状。对于多层光刻工艺,每一层的对准标记都会被设计师精心布置和制造...
- 曲轴与凸轮轴的正时标记代表特定位置(如上止点),对齐后确保气门动作与活塞行程匹配。 - 若未对齐,气门可能在活塞上行时未关闭,导致碰撞,引发气门弯曲、活塞损伤等机械故障。 3. **影响发动机运行**:错位会导致点火、喷油时刻偏离设计值,降低动力、增加油耗,甚至无法启动。 4. **总结**:对准标记是保证配气...
Cross Shape由水平线和垂直线组成的形状,用于定义对准标记的主要结构。 利用区 Utilization Area十字形交点区域,允许设置几何图形的区域。 GB/T 16524-1996 中可能用到的仪器设备 光学仪器组件有掩模光刻机无掩模光刻机/直写光刻机半导体专用检测仪器设备
苏州艾科瑞思申请基于半导体贴装的对准标记和半导体贴装器件专利，提高定位精度和贴装精度 金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局信息显示，苏州艾科瑞思智能装备股份有限公司申请一项名为“基于半导体贴装的对准标记和半导体贴装器件”的专利，公开号CN 119695030 A，申请日期为2024年12月。专利摘要显示，本发明实施例...
专利摘要显示，本发明提供一种套刻对准标记及套刻偏移的测量方法，通过量测第一套刻图形的中心点和第二套刻图形的中心点在X方向和Y方向的偏移量，从而能够得出晶圆的当层相对于晶圆的前层的套刻误差值，以该套刻误差值来判断晶圆的当层相对于晶圆的前层是否发生了偏移，此外提出一种新型结构的套刻对准标记，该...
一种对准标记的位置确定方法,包括: 获取在初始对准标记状态下的受检者的扫描图像序列; 根据所述扫描图像序列确定初始对准标记状态下的等中心点,包括: 识别所述扫描图像序列中各层扫描图像中的初始对准标记;和 根据所述初始对准标记确定所述等中心点; 利用神经网络模型根据所述扫描图像序列计算出目标对象的中心点;以及...