金融界2024年12月12日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“对准标记及其形成方法”的专利，公开号 CN 119108378 A，申请日期为2023年6月。专利摘要显示，一种对准标记及其形成方法，对准标记包括：相邻设置的第一对准标记和第二对准标记，所述第一对准标记和第二对准标记...
金融界2024年12月12日消息,国家知识产权局信息显示,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“对准标记及其形成方法”的专利,公开号 CN 119108378 A,申请日期为2023年6月。 专利摘要显示,一种对准标记及其形成方法,对准标记包括:相邻设置的第一对准标记和第二对准标记,所述第一对准标记和第二对准标记相间隔...
首先,激光器出射S偏振光,被偏振分束器(PBS)反射后,由投影物镜聚焦成直径 1mm左右的光斑并入射硅片对准标记。紧接着,衍射光经光栅衍射后生成不同的衍射级次,但仅有±1衍射级次能够通过投影物镜继续向前传播,并透过PBS后打在掩膜对准标记上。最后,透过掩膜对准标记的光被分光棱镜分成两束光,其中一束光通过透镜组成...
金融界2024年12月12日消息,国家知识产权局信息显示,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“对准标记及其形成方法”的专利,公开号 CN 119108378 A,申请日期为2023年6月。 专利…
一、光刻对准标记的作用 光刻对准标记是一种特殊的图形,通常分布在每个芯片图形的边缘。这些标记在光刻工艺中起到对准的作用,确保每一层掩膜版与前一层的图形能够精确对齐。对准标记在光刻过程中是长久留在芯片表面的,以便在后续的制造过程中进行对准。 光刻对准标记的...
金融界2024年12月12日消息,国家知识产权局信息显示,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“对准标记及其形成方法”的专利,公开号 CN 119108378 A,申请日期为2023年6月。 专利摘要显示,一种对准标记及其形成方法,对准标记包括:相邻设置的第一对准标记和第二对准标记,所述第一对准标记和第二对准标记相间隔...
对准标记 释义 alignment mark 调整标记,定位记号,对准标记;
MEMS代工中光刻的对准标记,是为了制造有用的器件,属于单个结构的用于不同光刻步骤的图案必须彼此对准。转移到晶片的第一图案通常包括一组对准标记,这些对准标记是高精度特征,在将后续图案定位到第一图案时用作参考。对齐标记通常包含在其他样式中,因为随着处理的进行,原始对齐标记可能会消失。重要的是要对晶圆上的每个...
超表面对准标记,光刻对准精度提升至激光波长的1/50000 近日,麻省大学阿默斯特分校的研究团队,发表了一项创新研究,宣布他们成功研发出一种基于超表面的远距离3D对准技术。这种新型对准技术,能够以深亚波长的精度测量两个远距离物体的相对位置,显著提升了3D集成光学与电子芯片的制造精度。该工作以“3D alignment of ...