富士电机进行芯片和封装的技术革新,实现了第7 代“X 系列”IGBT 模块的产品化,并凭借IGBT 模块的低损耗化和高可靠性化,实现了高功率密度化⑴ , ⑵。而且,还进一步开发了将IGBT和FWD 单芯片化的RC-IGBT(Reverse-Conducting IG...
第7代“X系列”产业用1200V/2400A RC-IGBT模块 为满足IGBT模块小型化和高可靠性化的市场要求,富士电机开发了将IGBT和FWD单芯片化的RC-IGBT(Reverse-Conducting IGBT)。 将第7代“X系列”芯片技术及封装技术与RC-IGBT技术相结合,使第7代“X系列”产业用1200V RC-IGBT模块系列化,加入2400A后扩大了额定电流。
在原本已具有高可靠性的IGBT模块产品的基础上,富士电机新开发了第7代“X系列”的半导体芯片与封装,RC-IGBT(Reverse-Conducting IGBT:逆导通IGBT)产品。 和第6代“V系列”IGBT相比,X系列的IGBT表面栅结构实现了微细化,大幅降低集电极和发射极的饱和电压VCE(sat)。 通过薄晶圆化技术可进一步改善关断损耗与VCE(sat)的...
为满足IGBT模块小型化和高可靠性化的市场要求,富士电机开发了将IGBT和FWD单芯片化的RC-IGBT(Reverse-Conducting IGBT)。 将第7代“X系列”芯片技术及封装技术与RC-IGBT技术相结合,使第7代“X系列”产业用1200V RC-IGBT模块系列化,加入2400A后扩大了额定电流。 RC-IGBT模块封装尺寸与传统额定电流为1800A的X系列I...