首先通过两种分子结构调控途径获得了第一类型的宽禁带磷光主体材料，实现宽禁带的一种途径是按照申请书中所预期的在咔唑环上引入吸电子取代基，另一种有效途径是通过调节分子立体结构从而调节分子的共轭程度，这些宽禁带主体材料在蓝色电致磷光器件中都表现了优良的性能。另外，根据我们在项目执行过程中的实际发现，以及...
《氧化锌基宽禁带光电功能薄膜材料》是依托中国科学技术大学，由傅竹西担任项目负责人的专项基金项目。中文摘要 本课题以ZnO为基材料，研究其混晶薄膜、异质结和同质p-n结以及人工微结构材料的制备和光电特性；同时，设想利用ZnO独特的光学和电学性质，进行ZnO基材料光电耦合功能的探索；开拓它们在短波长电致发光、光电...
宽禁带半导体纳米材料具有较长的自旋弛豫时间，是短波波段制备自旋电子器件的首选材料。本项目根据光学取向原理注入自旋极化电子，利用基于超短激光脉冲的时间分辨技术，研究宽禁带纳米材料中第一激子峰波段共振激发时的自旋动力学过程。利用圆偏振抽运探测光谱研究材料的自旋弛豫过程，探索材料的种类、尺寸、表面等内部因素和...
《基于中子辐照的宽禁带半导体材料的物性研究》是依托哈尔滨工业大学，由宋波担任项目负责人的面上项目。项目摘要 宽禁带半导体具有禁带宽度大、临界电场高、电子饱和迁移率高等优异特性，特别是其耐恶劣环境特性是Si和GaAs等传统半导体所无法比拟的，因此广泛应用于航空航天、雷达通信、武器装备等领域。针对中子辐照对其微观...
《宽禁带化合物半导体材料与器件》是2016年浙江大学出版社出版的图书。内容简介 《宽禁带化合物半导体材料与器件》共9章，主要内容为：绪论；化合物半导体材料基础；化合物半导体中的缺陷；宽带隙半导体发光；化合物半导体器件基本原理，包括pn结、超晶格与量子阱；宽带隙化合物半导体材料及其器件的应用，主要介绍SiC、...
《GaN宽禁带微电子材料和器件重大基础问题研究》是依托西安电子科技大学，由郝跃担任项目负责人的重点项目。中文摘要 本项目以发展AlGaN/GaN异质结器件、改善材料与器件性能为目标，通过对高热导率SiC衬底上GaN外延材料和AlGaN/GaN异质结材料的生长机理和生长动力学、极化效应和量子导电机理等材料物理问题的深入研究，采用...
宽禁带半导体材料山西省重点实验室 宽禁带半导体材料山西省重点实验室依托中国电子科技集团公司第二研究所。研究方向 主要从事宽禁带半导体单晶生长及加工机理、缺陷形成及演变机制、薄膜生长及分析表征研究，在宽禁带半导体设备方面形成了特色。已经形成从设备研制、粉料制备、单晶生长、晶片加工到薄膜材料验证的研究中试线。
《宽禁带化合物半导体材料与器件（第二版）》是2023年浙江大学出版社出版的图书。 内容简介 随着信息技术的飞速发展，半导体材料的应用逐渐从集成电路拓展到微波、功率和光电等应用领域。传统元素半导体硅材料不再能满足这些多元化需求，化合物半导体应运而生并快速发展。本书以浙江大学材料科学工程学系“宽禁带化合物...