第三代宽禁带半导体,主要包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)等,优点是禁带宽度大(>2.2ev)、击穿电场高、热导率高、抗辐射能力强、发光效率高、频率高,可用于于高温、高频、抗辐射及大功率器件,也是目前国家大力发展的新型半导体器件。 对于以上半导体材料大家可能最熟悉的就是Si、...
01 宽禁带的定义1931年,威尔逊(A.H.Wilson)在结合前人研究成果下主张提出晶体中电子的能级会分裂成能带,不同晶体的能带数目及宽度均不相同,提出能带论,根据能带被电子占据的情况,把能带分为价带(满带)、禁…
GaN基半导体材料不仅适用于高性能发光芯片制备,同时具备的宽禁带、高电子饱和漂移速度、高击穿场强和稳定的物理化学性质还适用于高频、大功率高电子迁移率晶体管(HEMT)制备。GaN基HEMT具有比GaAs基电子芯片高10倍以上的输出电流密度。高频、高效率、宽带宽的GaN基HEMT微波射频芯片在5G移动...
从图中我们可以看出,半导体Si的禁带宽度为1.12电子伏特,而宽禁带半导体SiC禁带宽度为3.23电子伏特,宽禁带半导体GaN的禁带宽度和SiC差不多为3.42电子伏特。正是因为SiC和GaN具有更宽的禁带宽度,从而使其拥有更高的击穿电场强度,从上表中...
吴晓华表示，临港在宽禁带半导体领域，到2026年能实现设备材料及晶圆制造规模超100亿元、模组器件规模超100亿元的“双百亿”目标，将临港新片区建设成为全国宽禁带半导体产业链最全、创新能力最强、应用生态最好的基地。打造产业生态赋能园区企业 上海是全国集成电路发展高地，而临港又是上海打造的又一个集成电路聚集区。...
2022年是汽车800V高压快充元年,电动汽车800V 高压系统+超级快充,可以实现充电10 分钟,续航300公里以上,能有效解决充电及续航焦虑;基于宽禁带(WBG)器件组成的功率模块是800V模组的核心,对其的动态参数(DPT)测试也面临很多挑战。 本文中我们总结了目前在功率模块DPT测试面临的挑战,以及新的动态参数测试黑科技。
1.1宽禁带半导体的概念和发展 宽禁带半导体(WBS)是自第一代元素半导体材料(Si)和第二代化合物半导体材料(GaAs、GaP、InP等)之后发展起来的第三代半导体材料。这类材料主要包括SiC(碳化硅)、C-BN(立方氮化硼)、GaN(氮化镓、)AlN(氮化铝)、ZnSe(硒化锌)以及金刚石等。
宽禁带器件的作用 宽禁带器件主要分为：SiC（碳化硅）MOSFET和GaN（氮化镓）MOSFET两类型的功率器件，在电汽领域的应用中，采用SiC MOSFET即可带来5%左右的续航里程的提升以及电驱模块体积和散热需求的降低，在常用的充电器上，使用GaN可以使得充电器的体积缩小，进而方便携带。作用只是如此吗？当然不是，由于宽禁带器...
禁带宽度又称能隙(Energy Gap):导带的最低能级和价带的最高能级之间的能量。单位:eV(电子伏特)。宽禁带半导体是指禁带宽度大于2.2eV的半导体材料,而当前主流的半导体材料硅的禁带宽度大约是1.12eV。 下图分别从电场强度、能隙(即带宽)、电子迁移率、热导率和熔点5个方面对比了最常见的Si, SiC, GaN这三种半导体...
宽禁带半导体也被称为第三代半导体。第三代宽禁带半导体，主要包括碳化硅、氮化镓、氧化锌、金刚石、氮化铝等。优点是禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、抗辐射能力强、发光效率高、频率高，可用于于高温、高频、抗辐射及大功率器件，也是目前国家大力发展的新型半导体器件。半导体材料的禁带宽度在一定程...