英特尔针对高数值孔径极紫外光刻挑战，决定采用前沿的定向自组装（DSA）创新技术，此消息引发业界广泛讨论和高度关注。本文将深入剖析英特尔引入DSA技术的背景、技术原理、潜在应用及其可能产生的影响。1.DSA技术背景 DSA作为新型设计技术，基于嵌段共聚物分子特性，已经成为革新传统光刻法的重要手段。与一般光刻法相比，DSA具...
本发明涉及定向自组装光刻方法,所述方法包括将嵌段共聚物膜沉积在相对于嵌段共聚物而言中性的层(20)上的步骤,所述嵌段共聚物膜意图用作光刻掩模,所述方法的特征在于其包括以下步骤:将中性层(20)沉积在衬底(10)的表面上,所述中性层(20)为碳质或氟碳质层且被沉积至厚度大于嵌段共聚物膜(40)的厚度的1.5倍,使中性...
定向自组装光刻方法.pdf,本发明涉及定向自组装光刻方法,所述方法包括将嵌段共聚物膜沉积在相对于嵌段共聚物而言中性的层(20)上的步骤,所述嵌段共聚物膜意图用作光刻掩模,所述方法的特征在于其包括以下步骤:‑将中性层(20)沉积在衬底(10)的表面上,所述中性层(20)为碳
定向自组装光刻技术 /directed self-assembly lithography technology; DSA/ 最后更新2023-08-19 浏览164次 集成电路制造中,运用材料内部的自然机制来产生有序结构进而强化光刻的技术。 英文名称 directed self-assembly lithography technology; DSA 所属学科
目前正在发展用于光刻工艺的定向自组装(DSA)工艺。在传统DSA工艺中,光刻胶被形成并进行图案化,然后分配块状共聚物(BCP)涂层。BCP涂层包括聚苯乙烯(PS)和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。然后,实施退火步骤以导致BCP中的相位分离,使得PS和PMMA被分离成与光刻胶的边缘平行的平行带。然后蚀刻PMMA带,并且PS带保留。PS带用作蚀...
...61.3.1极紫外光刻(EUV)...61.3.2纳米压印(NIL)...71.3.3无掩模光刻(MLL)...81.3.4IRDS新的发展趋势...
本发明提供了一种通过定向自组装嵌段共聚物的光刻方法,该方法在光刻图案的隔离间隔区的侧壁表面形成侧墙,以光刻图案和侧墙作为掩膜照射PETS层表面形成化学图案,从而减小所述化学图案中的化学改性区域的宽度,然后在具有化学图案的PETS层表面旋涂嵌段共聚物作为自组装层并退火,结合化学引导DSA和形貌引导DSA形成周期性结构域...
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微纳制造技术:定向自组装(DSA)终于找到了立足点 定向自组装(DSA)的集成工艺流程。“我们在 SPIE 等会议上公开讨论过的一个工艺流程是使用 DSA 进行EUV 光刻胶校正。DSA 可以从根本上 发表于 08-22 18:11 •199次阅读 10.2.6 认知无线电集成电路∈《集成电路产业全书》 集成电路第10章集成电路基础研究与...