埋沟CCD 是一种先进的图像传感器技术。 它依靠特殊的结构来实现高效的电荷存储与转移。电荷首先在光敏区域产生。埋沟结构能有效减少表面态对电荷的影响。光照使得半导体产生电子-空穴对。电子被收集在势阱中形成电荷包。势阱的深度决定了电荷存储量。相邻的像素单元相互独立。转移时钟脉冲控制着电荷的移动。 电荷沿着特定...
答:由于电子的迁移率远大于空穴的迁移率,因此N型CCD比P型CCD的工作频率高的多。由于界面处存在陷阱,信号电荷在转移过程中将受到影响,从而降低了器件的工作速度和转移效率。埋沟CCD在半导体体内设置信号的转移沟道,避免了这一问题。 2, 试说明为什么在栅极电压相同的情况下,不同氧化层厚度的MOS结构所形成的势阱存储...
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搜索 问答题 【简答题】为什么说N型沟道CCD的工作速度要高于P型沟道CCD的工作速度,而埋沟CCD的工作速度要高于表面沟道CCD的工作速度? 答案:由于电子的迁移率远大于空穴的迁移率,因此N型CCD比P型CCD的工作频率高的多。 由于界面处存在陷阱,信号电荷...
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解析 参考答案: 由于电子的迁移率远大于空穴的迁移率,因此N型CCD比P型CCD的工作频率高的多。 由于界面处存在陷阱,信号电荷在转移过程中将受到影响,从而降低了器件的工作速度和转移效率。埋沟CCD在半导体体内设置信号的转移沟道,避免了这一问题。反馈 收藏 ...
1, 为什么说N型沟道CCD的工作速度要高于P型沟道CCD的工作速度,而埋沟CCD的工 作速度要高于表面沟道CCD的工作速度? 答:由于电子的迁移率远大于空穴的迁移率,因此N型CCD比P型CCD的工作频率高的多。由于界面处存在陷阱,信号电荷在转移过程中将受到影响,从而降低了器件的工 作速度和转移效率。埋沟CCD在半导体体内设...
埋沟CCD 2) buried channel CCD 埋沟型 CCD 3) Buried-channel 埋沟 例句>> 4) buried trench 沟埋 1. It compared the advantages and disadvantages of the technologies betweenburied trenches,directional drilling,tunneling,etc. 综述了油气管道河流穿越技术的发展历程和各种穿越施工方法,比较了沟埋、定向钻...
0开发了焊缝图像采集及处理系统,对电荷耦合器件(CCD)摄像头获取的焊缝激光条图像进行特征提取,分别采用两套不同的识别方案对激光条图像进行处理。 3. polychromator has been developed by way of refitting a plane grating monochromator with acharge-coupled device(CCD) array receiver. ...
6) self aligned ccd 自对准电荷耦合掐补充资料:势垒 势垒 Potential barrier 势垒(potential barrier) 包括了势能极大的一个区域.它阻挡粒子从其一边跑到另一边。按照经典物理学,为克服势垒.粒子必须具有超过势垒高度的能量。然而,量子力学表明.能量低于势垒高度的粒子也有一定概率穿透它。当粒子能量减少时.这一概率...