答:由于电子的迁移率远大于空穴的迁移率,因此N型CCD比P型CCD的工作频率高的多。由于界面处存在陷阱,信号电荷在转移过程中将受到影响,从而降低了器件的工作速度和转移效率。埋沟CCD在半导体体内设置信号的转移沟道,避免了这一问题。 2, 试说明为什么在栅极电压相同的情况下,不同氧化层厚度的MOS结构所形成的势阱存储...
1、表面沟道CCD的优点是电荷转移途径距离半导体-绝缘体分界面较近，工艺简单，动态范围大。缺点是信号电荷的转移受表面态的影响，转移速度和转移效率低，工作频率一般在10MHz以下。2、埋沟道CCD的优点是转移效率提高，工作频率可高达100MHz，且能做成大规模器件。缺点是相对于表面沟道CCD成本较高。
问答题为什么说N型沟道CCD的工作速度要高于P型沟道CCD的工作速度,而埋沟CCD的工作速度要高于表面沟道CCD的工作速度? 参考答案:由于电子的迁移率远大于空穴的迁移率,因此N型CCD比P型CCD的工作频率高的多。 由于界面处存在陷阱,信号电荷... 点击查看完整答案 ...
1, 为什么说N型沟道CCD的工作速度要高于P型沟道CCD的工作速度,而埋沟CCD的工 作速度要高于表面沟道CCD的工作速度? 答:由于电子的迁移率远大于空穴的迁移率,因此N型CCD比P型CCD的工作频率高的多。由于界面处存在陷阱,信号电荷在转移过程中将受到影响,从而降低了器件的工 作速度和转移效率。埋沟CCD在半导体体内设...
由于电子的迁移率远大于空穴的迁移率,因此N型CCD比P型CCD的工作频率高的多。 由于界面处存在陷阱,信号电荷在转移过程中将受到影响,从而降低了器件的工作速度和转移效率。埋沟CCD在半导体体内设置信号的转移沟道,避免了这一问题。 问答题 图像传感器的基本技术参数对成像质量分别有怎样的影响?