MOS管的主要工作原理是利用控制栅极电压来控制电流流过两个源极和漏极之间的通道，因此也被称为场效应晶体管（Field-Effect Transistor,缩写为FET）。即金属（Metal）-氧化物（Oxide）-半导体（Semiconductor）场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件。和普通双极型晶体管相比，MOS管具有输入阻抗高、噪声低...
1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。 2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。 3.场效应管可以用作可变电阻。 4.场效应管可以方便地用作恒流源。 5.场效应管可以用作电子开关。 联系方式:邹先...
场效应管是电压控制元件,晶体管是电流控制元件。当只允许从信号源汲取较少电流时,应使用场效应管;当信号电压低并且允许从信号源汲取较多电流时,应使用晶体管。场效应管使用多数载流子导电,因此称为单极器件,而晶体管同时使用多数载流子和少数载流子导电,称为双极器件。有些场效应管的源漏极可以互换使用,栅极电压也可以...
1、场效应管分类作用参数和管脚识别文章主要讲解分类作用参数和管脚识别的办法。概念:场效应晶体管(field effect transistor缩写(fet)简称场效应管.由多数载流子参加导电,也称为单极型晶体管.它属于控制型器件.特点:具有输入高(108109)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、平安工作区域宽等优点...
文章主要讲解场效应管分类作用参数和管脚识别的方法。场效应管分类作用参数和管脚识别.pdf 文件大小:90....
具体来说,它主要用于制造 MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)中的金属电极和导线,以及金属互连层的制造。同时,它也可以用于制造其他电子元器件中的金属薄膜。EBE技术的作用是制备高品质、高密度、高抛光度的薄膜,常用于制备光学、电子学、纳米电子学、半导体、太阳能电池等领域的器件和材料。通过调节电子束的...
当然起作用，因为在提出这个模型的时候已经考虑了高频状态。
(1)场效应管40N120是电压控制器件,通过VGS(栅源电压)控制ID(漏电流); (2)场效应管40N120的控制输入端电流极小,因此其输入电阻很大。 (3)40N120采用多数载流子导电,温度稳定性较好; (4)由它组成的放大电路的电压放大系数小于由三极管组成的放大电路的电压放大系数; ...
特性：低功耗场效应管 电性参数：40A 1200V 集电极电流(IC)：40A 脉冲集电极电流(ICM)：160A 集电极-...
(1)场效应管40N120是电压控制器件,通过VGS(栅源电压)控制ID(漏电流); (2)场效应管40N120的控制输入端电流极小,因此其输入电阻很大。 (3)40N120采用多数载流子导电,温度稳定性较好; (4)由它组成的放大电路的电压放大系数小于由三极管组成的放大电路的电压放大系数; ...