#集成电路 #半导体 集成电路制造工艺FEOL,MOL,BEOL - 点线面于20240915发布在抖音,已经收获了4032个喜欢,来抖音,记录美好生活!
后段集成工艺(BEOL Integration Flow)- 2 描述 双镶嵌 (Dual-Damascene)和多层金属互连接 (Multi-Interconnection)通孔-1(V1)和金属-2 (M2)互连的形成是通过双镶嵌 (Dual -Damascene)工艺实现的,如图所示。 双镶嵌工艺分为先通孔 (Via-First) 和先沟槽(Trench-First)两种技术。以先通孔技术为例,首先沉积IMD...
一体化(all-in-one,aio)刻蚀工艺是指将通孔刻蚀、去光阻以及沟槽刻蚀三个步骤在同一个工艺步骤中完成。 3.在半导体制造的后段(back end of line,beol)工艺中,尤其是对于金属线密度较高的晶圆(例如,用于集成非易失闪存(nor-flash)产品的晶圆,其元胞(cell)区域占比较高),其缺陷窗口(defect window)较小,当...
17.在本发明的另一实施例中,回刻蚀旋涂式玻璃的方法包括等离子体刻蚀制造工艺。 18.基于上述,本发明通过在后段制造工艺(beol)的导线之间先填入sog并利用回刻蚀移除部分sog,使原本存在于导线之间的深宽比因为沟填能力佳的sog而降低,因此能在后续沉积作为钝化层的氧化层与氮化物层时,避免钝化层底部(导线之间的)覆盖不...
图1a-1d示出了根据本发明的实施例的集成电路层的部分的截面图,这些截面图代表涉及用于后段工艺(beol)互连制造的表面对准光刻图案化的方法中的各种操作。 图2a-2c示出了根据本发明的另一实施例的集成电路层的部分的截面图,这些截面图代表涉及用于后段工艺(beol)互连制造的表面对准光刻图案化的另一方法中的各种操作...
[0018] 基于上述,本发明通过在后段制造工艺(BEOL)的导线之间先填入SOG并利用回刻 蚀移除部分SOG,使原本存在于导线之间的深宽比因为沟填能力佳的SOG而降低,因此能在 后续沉积作为钝化层的氧化层与氮化物层时,避免钝化层底部(导线之间的)覆盖不足,导 致钝化层裂开(crack)或者金属导线隆起(lifting)的情形发生。特别...
本发明涉及半导体集成电路技术领域,尤其涉及一种提高后段金属线通孔的工艺窗口的方法。 背景技术: 先进节点的后段(beol)金属互联工艺中,自对准通孔(self-alignedvia,sav)是一种重要的控制工艺稳定性的手段,其通过加大关键方向通孔的尺寸,结合硬掩膜来消除此方向上的epe(edgeplacementerror)造成的图形缺陷风险,确保最...
cmp是什么意思 cmp工艺原理 段来分可以分为前段制程(FEOL)和后段制程(BEOL),前段制程工艺主要为 STI-CMP 和 Poly-CMP,后段制程工艺主要为介质层 ILD-CMP、IMD-CMP 以及金属层 W-CMP、Cu-CMP 等。 2023-07-18 11:48:18 关于半导体价值链分析(设计、制造和后制造) 半导体价值链的制造阶段包括晶圆制造、...
本实用新型的测试结构可同时检测堆栈的所有层的Via‑Via、Via‑Metal以及Metal‑Metal的性能问题,简化现有技术中BEOL性能测试的过程,提高了测试效率,可用于小于40nm的先进工艺中。新闻资讯更多> 沈亚楠首提Q4销售指引 理想汽车12月交付量将超2万辆 搜狐2022-12-10 鸿蒙3.0新版本推送只有367MB,华为mate30及P40...
1、Huali 55nm LP BEOL flow introduction Confidential2 Outline Overview HL 55/65nm BEOL Integration Schemes HL 55LP BEOL Process Flow Introduction M1 (Single Damascene, MHM Process) Mx/Vx-1 (1X, Dual Damascene, Partial trench first MHM process) T4Vx/T4Mx (4X, Dual Damascene, Full via first...