根据英特尔PowerVia 背面供电技术的官方介绍，英特尔将在Intel 20A 制程技术上采用PowerVia 背面供电技术及RibbonFET 全环绕栅极晶体管的架构，预计2024 上半年生产准备就绪，用于未来量产客户端ARL平台，正在晶圆厂启动步进（First Stepping）。三星计划2027 年开始在SF1.4 制程上应用 至于，台积电另一竞争对手三星除了率先...
事实上，台积电和三星都在研究玻璃基板，整个行业都开始用玻璃进行设计，在不破裂的情况下处理它，并对其进行检查。与此同时，台积电高度重视建立生态系统和扩大其工艺产品。许多业内人士表示，台积电的真正优势在于能够为几乎任何工艺或封装提供工艺开发套件。据《日经新闻》报道，该代工厂生产了全球约 90% 的最先进芯片。
根据英特尔 PowerVia 背面供电技术的官方介绍,英特尔将在 Intel 20A 制程技术上采用 PowerVia 背面供电技术及 RibbonFET 全环绕栅极晶体管的架构,预计 2024 上半年生产准备就绪,用于未来量产客户端 ARL 平台,正在晶圆厂启动步进(First Stepping)。 三星计划 2027 年开始在 SF1.4 制程上应用 至于,台积电另一竞争对手三...
◎英特尔通过其EMIB技术和封装组装设计套件,实现了模块化和灵活性。 ◎台积电和三星则提供了不同的桥接和封装方案,以满足客户的需求。 ●新技术与未来趋势 英特尔、三星和台积电在半导体技术上的竞争不仅体现在工艺节点的进步,还在于封装技术和新材料的应用。 ◎英特尔计划今年推出18A工艺,并将在未来几年内推出14A工艺。
本文着重分析了台积电:整合构建3D Fabric平台,先进制程持续演进、三星:I-Cube和X-Cube提供2.5D&3D解决方案、英特尔:EMIB和3D Foveros持续演进。 Fab/IDM 技术领先,2.5D/3D 封装进展迅速 摩尔定律逼近物理极限,先进封装重要性提升 先进工艺设计成本日渐高昂,先进...
在3nm制程工艺方面，台积电同样展现出了强大的研发实力和前瞻性布局。早在多年前，台积电就开始着手3nm技术的研发，并在近年来取得了显著的进展。其N3工艺在性能提升、功耗降低和密度增加等方面都展现出了出色的表现，赢得了众多客户的青睐。然而，台积电也并非没有挑战。随着三星和英特尔等竞争对手在3nm制程工艺上的不...
英特尔、三星和台积电,这三大尖端代工厂在2024年不断填补其路线图中的关键部分,为未来几代芯片技术明确了积极的交付日期,并在提高性能和缩短定制设计的交付时间方面奠定了技术基础。 Part 1半导体代工厂的演变与现状 与过去不同的是,现在的半导体代工厂不再依赖一张行业路线图来决定如何进入下一个工艺节点,而是开辟了...
除了台积电、英特尔，三星也近日公布了2nm时间表。据韩媒报道，三星计划2025年在韩国开始生产2nm，并计划投资500万亿韩元，于2047年前在当地建立一个巨型2nm制造工厂。意味着，三星将与台积电、英特尔等公司同台竞技。那么，在这场激烈的竞争中，三大巨头谁将更领先呢？2nm及以下的工艺，三家基本上是站在同一起跑线...
英特尔领先台积电和三星一年，1.8nm芯片正式问世 英特尔比台积电和三星早一年发布了 1.8 纳米芯片！芯片战争硝烟弥漫。在这场没有硝烟的战争中，台积电、三星和英特尔三大巨头竞争激烈。就在台积电和三星以为自己已经稳操胜券时，前冠军英特尔又将战局推向了新的高潮。2024 年 8 月 11 日，英特尔宣布，AI PC ...
英特尔、三星和台积电,这三大尖端代工厂在2024年不断填补其路线图中的关键部分,为未来几代芯片技术明确了积极的交付日期,并在提高性能和缩短定制设计的交付时间方面奠定了技术基础。 Part1 半导体代工厂的演变与现状 与过去不同的是,现在的半导体代工厂不再依赖一张行业路线图来决定如何进入下一个工艺节点,而是开辟了...