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品牌 KIA / 可易亚 KIA50N03BD 场效应管 To-252 50A 30V 1200pF MOSFET中文资料KIA50N03BD是一款漏源击穿电压30V, 漏极电流最大值为50A ,RDS(on) =6.5mΩ(typ)@VGS=10V,封装为To-252的场效应管,非常适合应用在电源管理、开关、潜水泵控制板上,KIA50N03BD可最大限度地减少导通损耗,提供卓越的开关性能...
KIA半导体拥有设计与制造一体化服务。 KIA半导体拥有从研发到制造封装,再到仓...KIA半导体拥有设计与制造一体化服务。 KIA半导体拥有从研发到制造封装,再到仓储和物流等一体化团队,让客户从一个想法变成成品,提高客户产品技术竞争力与性价比... 及一切对样品外表有详尽调查的范畴 ...
KIA专注于产品的精细化与革新,力求为客户提供最具行业领先、品质上乘的科技产品。 从设计研发到制造再到仓储物流,KIA半导体真正实现了一体化的服务链,真正做到了服务细节全到位的品牌内涵,我们致力于成为场效应管(MOSFET)功率器件领域的领跑者,为了这个目标,KIA半导体正在持续创新,永不止步! 可易亚公司文化 可易亚参加电...
品牌 KIA/可易亚 KIA半导体 KCT1808A场效应管参数240A 80V 封装TOLL-8 1.25mΩ MOS管资料KCT1808A场效应管参数240A 80V使用先进的SGT技术,具有极低RDS(开启)典型值=1.25mΩ@VGS=10V、优秀的栅极电荷,最大限度地减少导通电阻,提供最高效的开关性能。KCT1808A场效应管最高承受电压可达80V,漏极电流最大值为...
品牌 KIA/可易亚 KIA半导体 KIA75NF75 mos管 80A 80V TO-220 7.0mΩ N沟道 场效应管KIA75NF75场效应管是一款性能优异的器件,其参数为80V 80A,而其低Rds开启特性使得导电损耗最小化。KIA75NF75 80V 80A MOS管专为安定器和10串-16串保护板设计,其绿色无铅的设备更加环保。KIA75NF75场效应管的特点在于...
KIA 可易亚 KIA20N50HF 场效应管 TO-220F 20A 500V 0.21Ω 2700pF MOS管 ¥ 0.10 商品描述 价格说明 联系我们 咨询底价 品牌: KIA/可易亚 漏源电压: 200V 连续漏极电流: 40A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 50mΩ 阈值电压(Vgs(th)@Id): 4V@250uA 工作温度: -55℃~150℃ ...
KIA半导体推出碳化硅场效应管(SiC-MOSFET) 近些年来,随着节能意识几乎在所有的领域持续高涨,在高电压工业设备领域中,可...近些年来,随着节能意识几乎在所有的领域持续高涨,在高电压工业设备领域中,可实现节能并支持高电压的功率半导体和电源IC应用也越来越广泛。其中,与现有的Si功率... ...
KSX040N120A60120040mΩ148TO-247-42024-02-28 KSX080N120A28120080mΩ86TO-247-42024-02-28 KCX6265A116500.33Ω22TO-263、220F2024-02-28 KNE4603A273016mΩ4.9SOP-82024-02-28 KPE4403A2-5-3042mΩ6.5SOP-82024-02-28 KIA9435-3.5-3050mΩ12SOP-82024-02-23 ...