品牌 KIA / 可易亚 KIA50N03BD 场效应管 To-252 50A 30V 1200pF MOSFET中文资料KIA50N03BD是一款漏源击穿电压30V, 漏极电流最大值为50A ,RDS(on) =6.5mΩ(typ)@VGS=10V,封装为To-252的场效应管,非常适合应用在电源管理、开关、潜水泵控制板上,KIA50N03BD可最大限度地减少导通损耗,提供卓越的开关性能...
KIA半导体推出碳化硅场效应管(SiC-MOSFET) 近些年来,随着节能意识几乎在所有的领域持续高涨,在高电压工业设备领域中,可...近些年来,随着节能意识几乎在所有的领域持续高涨,在高电压工业设备领域中,可实现节能并支持高电压的功率半导体和电源IC应用也越来越广泛。其中,与现有的Si功率... ...
KIA专注于产品的精细化与革新,力求为客户提供最具行业领先、品质上乘的科技产品。 从设计研发到制造再到仓储物流,KIA半导体真正实现了一体化的服务链,真正做到了服务细节全到位的品牌内涵,我们致力于成为场效应管(MOSFET)功率器件领域的领跑者,为了这个目标,KIA半导体正在持续创新,永不止步! 可易亚公司文化 可易亚参加电...
品牌 KIA/可易亚 KIA半导体 KIA75NF75 mos管 80A 80V TO-220 7.0mΩ N沟道 场效应管KIA75NF75场效应管是一款性能优异的器件,其参数为80V 80A,而其低Rds开启特性使得导电损耗最小化。KIA75NF75 80V 80A MOS管专为安定器和10串-16串保护板设计,其绿色无铅的设备更加环保。KIA75NF75场效应管的特点在于...
品牌 KIA / 可易亚 KIA35P10AD 场效应管 TO-252 42mΩ -35A -100V 4920pF MOSFET参数资料KIA35P10A采用先进的沟槽MOSFET技术,漏源击穿电压-100V, 漏极电流为-35A ,RDS(on) =4.2mΩ(typ)@VGS=10V,具有超低门电荷、Cdv/dt效应低、100%EAS保证、绿色设备可用、功能可靠。报警器MOS管专用型号KIA35...
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品牌: KIA/可易亚 漏源电压: 200V 连续漏极电流: 40A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 50mΩ 阈值电压(Vgs(th)@Id): 4V@250uA 工作温度: -55℃~150℃ TO-220最小包装量: 1000 TO-3P最小包装量: 450 批号: 最新 国产品牌: 厂家直销 发货地: 广东深圳 可售卖区域: 全国 ...
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KIA半导体拥有设计与制造一体化服务。 KIA半导体拥有从研发到制造封装,再到仓...KIA半导体拥有设计与制造一体化服务。 KIA半导体拥有从研发到制造封装,再到仓储和物流等一体化团队,让客户从一个想法变成成品,提高客户产品技术竞争力与性价比... 及一切对样品外表有详尽调查的范畴 ...