原子层沉积 (ALD) 起源于原子层外延，该技术于 1970 年推出，最初用于电致发光显示器。它迅速改变了半导体应用，突破了摩尔定律的极限。如今，ALD 是一种成熟的超薄膜沉积方法，可以控制薄膜的成分、一致性、自饱和度、厚度和均匀性。自 2007 年英特尔首次在工业上引入 ALD 以来，它已在传感器、储能、催化、存储...
ALD原子层沉积系统是一种通过有序、自限制的表面反应实现单原子层逐层沉积的科学仪器，具备精确膜厚控制和高深宽比结构的保形沉积能力。该系统能够生成高度光滑、连续且无孔的薄膜，适用于300mm以下晶圆及不同基底材料的工业加工。设备技术特点包括紧凑高效的设计、灵活的前驱体支持及等离子处理功能，应用于集成电路、...
ALD生长原理与传统化学气象沉积（CVD）有相似之处，不过ALD在沉积过程中，反应前驱体是交替沉积，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，每次反应只沉积一层原子。拥有自限制生长特点，可使薄膜共形且无针孔的沉积到衬底上。因此可以通过控制沉积周期的次数进而实现薄膜厚度的精确控制。一个原子层沉积周期可...
原子层沉积 (ALD) 是一种通过氮气吹扫分离的脉冲化学蒸汽(“前体”)顺序暴露表面的技术。第一种前体通过与基材表面(通常与终止表面的 OH 基团)反应形成一个单层涂层。下一个前体与先前形成的单层表面反应,并形成另一个单层。通常使用两种不同的前体,导致二元...
原子层沉积（Atomic Layer Deposition, ALD）是一种基于表面自限制反应的薄膜沉积技术。其原理依赖于两个或多个前驱体在反应室中交替引入，通过化学吸附和反应形成原子级别的薄膜。ALD的关键在于每次反应都是自限制的，即每次化学吸附会饱和表面，不会发生过度反应，从而实现对薄膜厚度的精确控制。反应机理与步骤 ALD过程...
原子层沉积(ALD,AtomicLayerDeposition)是一种用于制造薄膜的纳米级薄膜沉积技术。其基本原理是通过交替地引入两种或多种前驱体(通常是气态的前驱体),在基材表面进行自限性反应,从而在原子层面一层层地构建薄膜。 以下是ALD的一些关键特征: 自限性反应:每个反应循环中,前驱体分子只会在基材表面未被覆盖的部位发生反应...
一般的原子层沉积过程如图1.它由与基质反应的气态化学前体的连续交替脉冲组成。这些单独的气面反应被称为“半反应”，并且仅构成材料合成的一部分。在每个半反应过程中，前驱体在真空 （<1 Torr） 下脉冲进入腔室指定时间，以使前驱体与基板表面通过自限性过程，在表面留下不超过一个单层。随后，用惰性载气（通常...
PART 01 原子层沉积原理 原子层沉积技术(Atomic Layer Deposition,ALD)是一种特殊的化学气相沉积薄膜技术,是通过将气相前驱体交替地通入反应室并在基底表面发生气-固化学反应形成薄膜的一种薄膜方法。 图1. 原子层沉积系统示意图 通常一个完整的ALD生长循环可分为四步: 1)脉冲前驱体源A进入反应室,在暴露的衬底表...
确定 GPC 既可以通过跟踪沉积过程中材料的增加来进行原位测定，也可以通过以不同的循环次数沉积多个样品来进行非原位测定。典型的方法是测量薄膜厚度（如通过光谱椭偏仪），但检查线性增长的其他方法是通过确定沉积原子数（如借助卢瑟福反向散射光谱）或沉积质量（如借助石英晶体微天平）。图 2 显示了膜厚度随 ALD 循环...