原子层沉积 (ALD) 是一种通过氮气吹扫分离的脉冲化学蒸汽(“前体”)顺序暴露表面的技术。第一种前体通过与基材表面(通常与终止表面的 OH 基团)反应形成一个单层涂层。下一个前体与先前形成的单层表面反应,并形成另一个单层。通常使用两种不同的前体,导致二元...
原子层沉积（Atomic layer deposition）是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处。但在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子。单原子层沉积（atomic layer deposition，ALD），又称原子层...
原子层沉积 (Atomic Layer Deposition, ALD)是一种基于化学气相沉积 (CVD) 的高精度 薄膜沉积 技术,是将物质材料以单原子膜的形式基于化学气相一层一层的沉积在衬底表面的技术。将两种或更多种前体化学品分别包含被沉积材料的不同元素,一次一种地分别引入到衬底表面。每个前体使表面饱和,形成单层材料。 原子层沉积原...
薄膜均匀性:传统方法如 PECVD(等离子体增强化学气相沉积)或PVD(物理气相沉积)在高深宽比结构中沉积不均匀,ALD 能在微纳米尺度结构中实现均匀沉积。 刻蚀精度:ALD 的对标工艺ALE(原子层刻蚀)同样依赖自限性反应,具备更高的刻蚀均匀性和精度。 成本与效率:虽然 ALD 的循环沉积速度较慢,但其薄膜质量和均匀性使其成...
原子层沉积的另一个突出优点是成分控制。使用氧化锌锡 （ZTO） 等材料已证明可以控制成分SrTiO3等等，这些薄膜可以通过定制 ALD“超级循环”来沉积和成分控制，这些循环由多个 ALD 工艺组成。例如，在ZTO沉积中，调整SnOx和ZnO的超循环比可以定制不同的传导行为和光学特性的电影.在沉积SrTiO3 时，TiO2和SrCO3的ALD ...
图 1.由两个半周期组成的典型 ALD 循环示意图。连续的前驱体和共反应剂剂量通过气体吹扫或泵（抽真空）操作步骤分隔，导致自限性薄膜生长。“M”表示金属原子，例如可以与氧原子或氮原子（蓝色）结合，分别形成金属氧化物或金属氮化物。前驱体配体呈绿色，通过与共反应物反应而消除，最后被清除。尽管 ALD 的原理...
一、ALD工艺流程详解 ALD的工艺流程十分严谨，它确保了每次沉积仅增加一个原子层，从而实现对薄膜厚度的高精度控制。其基本步骤如下：首先，将第一种前驱体引入反应腔室，这是ALD过程的起点。前驱体通常是含有目标沉积材料化学元素的气体或蒸汽，它能够与晶圆表面的特定活性位点发生反应。随后，这些前驱体分子会吸附在...
原子层沉积 Atomic Layer Deposition 获得改进控制的秘诀是将沉积过程分成半个反应,每个反应都可以很好地控制。ALD 工艺首先用前体注入反应室,该前体涂覆(或“吸附”到)晶片的暴露表面。这个过程被称为自限性,因为前体只能吸附在暴露区域;一旦所有这些都被覆盖,吸附就会停止。然后引...
Part 01.原子层沉积技术基本原理 一个完整的 ALD 生长循环可以分为四个步骤：1.脉冲第一种前驱体暴露于基片表面，同时在基片表面对第一种前驱体进行化学吸附 2.惰性载气吹走剩余的没有反应的前驱体 3.脉冲第二种前驱体在表面进行化学反应，得到需要的薄膜材料 4.惰性载气吹走剩余的前驱体与反应副产物 原子层...
原子层沉积（ALD）技术凭借其原子级精度和均匀性，正从实验室走向大规模量产。这项技术在半导体、新能源和光学领域的应用，正在重塑产业格局。ALD 通过逐层化学反应实现薄膜厚度的原子级控制，每次循环仅沉积 0.1-1 纳米。这种特性使其在高 k 介质层（如 HfO₂）和金属栅极（如 Ru）的沉积中表现优异，薄膜均匀...