压接式封装 PPI的特点 使用压力进行电气连接 将多个IEGT芯片以阵列形式放置于同一平面上,用钼板将单个IEGT芯片从两端均匀地压入。每个IEGT芯片的集电极和发射极将在机械压力的作用下通过钼板接触到压装式外壳的相应铜电极。这不仅实现了电气连接也保证了散热。
但是,由于封装式功率单元中半导体器件与散热片之间存在间隙,所以传热效率稍低,相应的转换效率也会受到影响。 三、压接式与封装式的选择 通常来讲,压接式功率单元适用于低功率、高密度和轻负载的应用场景,例如UPS、PLC等;而封装式功率单元适用于高功率、重负载和严苛环境的...
压接式封装 PPI的特点 使用压力进行电气连接 将多个IEGT芯片以阵列形式放置于同一平面上,用钼板将单个IEGT芯片从两端均匀地压入。每个IEGT芯片的集电极和发射极将在机械压力的作用下通过钼板接触到压装式外壳的相应铜电极。这不仅实现了电气连接也保证了散热。
压接式封装是一种电子元器件的封装方式,其工作原理是通过滚压或冲压的方式将引脚与外部引线紧密固定在一起。该封装方式具有良好的可靠性和环保性,在电子工业中有广泛的应用。
SiCSBD压接式封装结构是由SiC基板、金属电极、封装材料和压接机构组成的。其中,SiC基板是一种具有高热稳定性、高电子迁移率和高电热导率的半导体材料,金属电极是用于连接SiC基板和外部电路的导体,封装材料是用于保护SiC基板和金属电极的材料,压接机构是用于将金属电极和封装材料压紧在SiC基板上的机构。 SiCSBD压接...
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为了实现功率半导体模块的大功率容量,现有技术通常采用将数十个芯片进行并联的压接式封装技术,即一个模块内部有数十个子模组。这种结构将导致各个子模组间的压力难以均衡,且难以实现各子模组间界面的均衡接触,因此无论模块的结构还是封装工艺均很复杂,且模块的成品率难以提高,难以实现批量制造。 在现有技术中,主要有...
摘要 本实用新型提供一种使用热管的压接式IGBT封装结构,由外壳和位于外壳内部的多个子单元结构组成,多个子单元并行设置;所述子单元结构包括上端盖、导电铜片、碟簧组、热管、底座、银片、钼片、芯片和下端盖;所述下端盖、芯片、钼片、银片和底座从下往上依次设置,所述热管上端插入上端盖、穿过碟簧组,其下端插...
摘要 本发明属于IGBT技术领域,涉及一种新型压接式IGBT内部封装结构,采用了一种具备可压缩性、导电、导热性能优良的高导电高导热弹性材料层。一方面,这种材料层的高导电导热特性可以分别替代现有的压接式IGBT模块内部钼片、银片的作用,甚至当这种高导电导热材料加工工艺提升后,工作特性满足的话可以同时替代钼片和银片;...
摘要 一种大功率整晶圆平板压接式封装结构,由上盖和下盖压接而成,上盖和下盖形成的腔内依次压接有阴极电极金属板、绝缘层板、门极电极金属板、IGBT整晶圆和阳极电极金属板,阴极电极金属板上有阴极凸起电极,门极电极金属板上有门极凸起电极。当所述IGBT整晶圆的晶圆单元出现坏片时,将该坏片位置对应的所述门极...