金融界 2024 年 12 月 12 日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市鹏芯威电子有限公司取得一项名为“一种压接式 igbt 封装结构”的专利，授权公告号 CN 222126494 U，申请日期为 2024 年 3 月。专利摘要显示，本实用新型涉及 igbt 封装技术领域，尤其涉及一种压接式 igbt 封装结构。本实用新型提供了这样一种...
近日,深圳市鹏芯威电子有限公司获得了一项重要专利,即“一种压接式IGBT封装结构”。这项专利的获得,不仅为其在IGBT(绝缘栅双极晶体管)封装技术领域的研究和发展奠定了基础,也将在日后对IGBT模块的检修带来极大的便利。 专利的核心在于其独特的压接式封装结构。这种设计包含了安装底板、IGBT模块、外壳、弹簧和压板等...
1.一种压接式IGBT内部封装结构,该结构封装于陶瓷管壳(8)内,其特征在于:包括IGBT/FRD芯片(2)和碳化硅铝层(9),所述碳化硅铝层(9)位于IGBT/FRD芯片(2)的上、下两方,并且IGBT/FRD芯片(2)与碳化硅铝层(9)之间设置有焊接层(10),所述IGBT/FRD芯片(2)的上下表面均设有金属层(11)。 2.根据权利要求1所述...
1.一种适用于压接式封装的IGBT芯片制造方法,其特征在于:包括: 选取硅衬底并对所述硅衬底进行预处理; 在所述硅衬底表面进行场氧化层生长,并对所述场氧化层进行刻蚀; 制作栅氧化层和多晶硅栅电极; 制作P阱区和N阱区; 制作Spacer、P+型掺杂区和N+型掺杂区; 在所述多晶硅栅电极上方形成正面电极EM2; 在所述正...
2024年南瑞基建类-南瑞联研压接式IGBT封装测试生产线建设-银烧结模具(采购编号:NARI-T-2-2024262)的评审工作已结束,经评审委员会评审并报南瑞集团有限公司招投标工作领导小组批准,现将成交人名单公告如下。 分标编号 包号 项目单位 成交人 标1 包1 南瑞集团有限公司 苏州宝士曼半导体设备有限公司 2024年10月...
IGBT/IEGT IEGT(PPI) 压接式封装压接式封装 PPI的特点 使用压力进行电气连接 将多个IEGT芯片以阵列形式放置于同一平面上,用钼板将单个IEGT芯片从两端均匀地压入。每个IEGT芯片的集电极和发射极将在机械压力的作用下通过钼板接触到压装式外壳的相应铜电极。这不仅实现了电气连接也保证了散热。 因密封结构而实现的...
本发明涉及微电子封装技术领域,具体涉及一种大功率压接式IGBT封装模块。上端盖子、子模块、门极针、下端底座,上端盖子盖于下端底座上,所述子模块设置于上端盖子和下端底座之间,所述门极针设置于下端底座中绝缘底板的凹槽内。所述子模块包括顶部钼片、芯片、底部钼片、导电银片和PBI高性能塑料框架,在所述PBI高性能...
1.一种压接式IGBT子模组,封装于IGBT模块封装结构中,其特征在于,包括: IGBT芯片,所述IGBT芯片包括两面,其中所述IGBT的发射极与栅极位于同一面,所述IGBT芯片的集电极位于另一面; 发射极钼片,所述发射极钼片的一面与所述IGBT芯片的发射极的部分相接触; 集电极钼片,所述集电极钼片的一面与所述IGBT芯片的集电极接...
一种压接式IGBT内部封装结构 (57)摘要 本发明提供了一种封装于陶瓷管壳内的压接式IGBT内部封装结构,该结构包括IGBT/FRD芯片和碳化硅铝层,所述碳化硅铝层位于IGBT/FRD芯片的上、下两方,并且IGBT/FRD芯片与碳化硅铝层之间设置有焊接层,所述IGBT/FRD芯片的上下表面均设有金属层。本发明提出的陶瓷管壳封装压接式...
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