半导体物理学(刘恩科)第7版_.pdf,电子、电力、电源、开关、电工、电机、电工考核、电路、5g电子芯片芯片科技互联网人工智能信息通讯、互联网大数据科技感未来科技、编程、直流、电机、功率、晶体、半导体、LED、C语言、射频、数据、原件、软件[General Information] 书名=
半导体物理学 半导体器件 半导体物理学 教材: 《半导体物理学》(第六版),刘恩科等编著, 电子工业出版社 参考书 《半导体物理与器件》 (第三版), Donald A.Neamen著,电子工业出版社 半导体器件 半导体物理学 课程考核办法 : 本课采用开卷笔试的考核办法。第九周安排 一次期中考试。
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半导体物理学(刘恩科第七版)
半导体物理学(刘恩科)第七版课后答案
半导体物理学(刘恩科第七版)半导体物理学课本习题解一到四章 PDF 下载积分:800 内容提示: 第一章 1 设晶格常数为 a 的一维晶格 导带极小值附近能量 Ec(k)和价带极大值附近能量 EV(k)分别为 Ec=0220122021202236)(,)(3mkhmkhkEmkkhmkhV 0m。试求 为电子惯性质量 nmaak314.0,1 1 禁带宽度; 2 导带底...
317 21 10032cmNNNN DDAi /.,查图 4-14(a)知,sVcm n / 2 500 cm .qpu - n 24 500103106021 11 1519 第五章习题第五章习题 1. 在一个 n 型半导体样品中, 过剩空穴浓度为 10 13cm-3, 空穴 的寿命为 100us。计算空穴的 复合率。 2. 用强光照射 n 型样品,假 定光被均匀地吸收,产生过剩 ...
半导体物理学(刘恩科第七版)课后习题解第四章习题及答案(精).pdf,第四章习题及答案 1. 300K 时,Ge 的本征电阻率为47Ωcm,如电子和空穴迁移率分别为 3900cm2/( V.S)和1900cm2/( V.S)。试求Ge 的载流子浓度。解:在本征情况下, n=p=ni, 由ρ=1/σ= 47 ⨯1.602⨯10 -19
半导体物理学(第七版) 电子工业出版社 刘恩科等编着 PDF
答案网(,导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量Ev(k)分别为:kh222−kkh)1(2kh223kh22Ec(k)=+和Ev(k)=-;3m0m06m0m0m0为电子惯性质量,k1=1/2a;a=。试求:①禁带宽度;②导带底电子有效质量;③价带顶电子有效质量;④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。[解]①禁带宽