PIN结构是常见的半导体光电探测器结构之一。PIN结构中本征层对光电转换有重要影响 。雪崩光电二极管结构能实现内部增益 。雪崩光电二极管靠碰撞电离实现信号增强 。肖特基势垒光电探测器基于肖特基结工作 。肖特基势垒光电探测器具有快速响应特点 。异质结光电探测器利用不同半导体材料特性 。 异质结光电探测器可提升探测器的...
m层通常是一个中间层,用于优化探测器的性能或提供额外的功能。 例如,m层可以用于改善电荷收集效率、减少暗电流或提供额外的光谱响应。m层的具体材料和结构取决于探测器的设计和应用需求。 四、结论 探测器中的m层、p层和n层是半导体探测器的关键结构,它们共同工作以检测、测量和识别粒子事件。通过优化这些层的材料...
金属-半导体-金属结构光电探测器是一种金属-半导体-金属结构的光电探测器。它的结构与Schottky接触型光电二极管类似,但是在金属-半导体接触处有两个金属电极,从而形成了一个中空的结构。当光照射在金属-半导体结构上时,产生了光电效应,从而在外电路中产生电流。金属-半导体-金属结构光...
中图半导体申请一种光电探测器结构及其制备方法专利，能够对蓝紫外光有响应 金融界2024年11月15日消息，国家知识产权局信息显示，广东中图半导体科技股份有限公司申请一项名为“一种光电探测器结构及其制备方法”的专利，公开号CN 118943213 A，申请日期为2024年7月。专利摘要显示，本发明涉及一种光电探测器结构及其制备...
微结构半导体中子探测器 微结构半导体中子探测器 微结构半导体中子探测器( MSND)除了具有体积小、时间响应快、工作偏压低以及易于与读出电子学系统集成等优点外,还解决了二维平面半导体中子探测器存在的探测效率极低的问题(<5%),其在军用和民用领域都具有良好的发展前景 详细介绍 详细参数 详细介绍 1. 简介 微结构...
天眼查显示,华进半导体封装先导技术研发中心有限公司近日取得一项名为“一种单片集成的高精度高速双光斑同步位置探测器结构”的专利,授权公告号为CN114111577B,授权公告日为2024年7月2日,申请日为2021年11月24日。 本发明公开了一种双光斑同步位置探测器,包括:第一位置敏感探测器;第二位置敏感探测器;以及隔离区,其...
GaN 及其合金材料,如 AlN、AlGaN、InGaN 和 InN,具有带隙大、光谱范围宽、耐高温和电子饱和漂移速度快等性质,在光电应用和微电子应用有重要价值。GaN 材料体系已被证实非常适合用于制作紫外波长的光电探测器。我们可提供硅基 GaN PIN 结构光电探测器外延片,具体结构如下仅供参考:...
图2-2微结构半导体中子探测器原理图[20] 对于常规的半导体中子探测器,由于材料的电阻率与PN结击穿电压的限制,想要制备一个灵敏度厚度大于2mm的探测器很困难。并且探测器的探测效率、灵敏度等指标都和灵敏层厚度直接相关,所以,要实现高性能探测器就不得不增加灵敏区厚度,一种可行方法是制备PIN结型半导体探测器。 图...
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本发明涉及紫外探测器技术领域,尤其涉及一种半导体紫外探测器芯片的外延结构及其制备方法、半导体紫外探测器芯片。本发明通过交替生长的超晶格层的设置实现了对半导体缓冲层的位错线的有效阻挡,极大的降低了整个缓冲层的位错密度,解决了由于位错密度偏大导致器件暗电流大的问题;在P型传输层和P型接触层之间引入应变超晶格...