半导体光电探测器作为光电转换的关键元件,主要有三种类型:PN结光电二极管、Schottky接触型光电二极管和金属-半导体-金属结构光电探测器。PN结光电二极管利用光子能量激发电子跃迁产生电流,结构简单且响应迅速,但响应波长范围受限。Schottky接触型则通过金属-半导体接触面的光电效应产生电流,响应速度快且波长范围广,但噪声较大。...
金属-半导体-金属结构光电探测器是一种金属-半导体-金属结构的光电探测器。它的结构与Schottky接触型光电二极管类似,但是在金属-半导体接触处有两个金属电极,从而形成了一个中空的结构。当光照射在金属-半导体结构上时,产生了光电效应,从而在外电路中产生电流。金属-半导体-金属结构光...
中图半导体申请一种光电探测器结构及其制备方法专利，能够对蓝紫外光有响应 金融界2024年11月15日消息，国家知识产权局信息显示，广东中图半导体科技股份有限公司申请一项名为“一种光电探测器结构及其制备方法”的专利，公开号CN 118943213 A，申请日期为2024年7月。专利摘要显示，本发明涉及一种光电探测器结构及其制备...
GaN 及其合金材料,如 AlN、AlGaN、InGaN 和 InN,具有带隙大、光谱范围宽、耐高温和电子饱和漂移速度快等性质,在光电应用和微电子应用有重要价值。GaN 材料体系已被证实非常适合用于制作紫外波长的光电探测器。我们可提供硅基 GaN PIN 结构光电探测器外延片,具体结构如下仅供参考:...
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摘要 本发明公开了一种双层半导体结构的光电导型深紫外单色光电探测器。包括由下至上依次叠置而成的绝缘衬底、窄带隙氮化硼薄膜和宽带隙氮化硼薄膜,绝缘衬底上表面覆盖有窄带隙氮化硼薄膜,窄带隙氮化硼薄膜上表面覆盖有宽带隙氮化硼薄膜;窄带隙氮化硼薄膜中埋设有两个栅状Ti金属电极;通过调节窄带隙氮化硼薄膜和宽...
本发明涉及一种半导体结构、光电器件、光探测器及光谱仪。本发明提供了新型的基于混合维度异质结构的半导体结构以及其相关应用。半导体结构包括:一半导体层;至少一根金属型碳纳米管,该至少一根金属型碳纳米管设置于所述半导体层的第一表面;至少一石墨烯层,该至少一石墨烯层设置于所述半导体层的第二表面,使所述半导体层...
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创新点:浙江大学徐杨课题组结合电荷耦合器件(CCD)和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像技术的彼此优势,设计并实现了一种基于全二维吸收/介质/读出范德华异质结构(vdWs)的电荷采样光电探测器。 光电探测器阵列是图像传感器中的关键部件。CMOS图像传感器由于其简单的制造工艺、低功耗和随机存取读出而具有低成本和高速度的优点...
新型半导体光电探测器原理与性能上QQ阅读看本书 新人免费读10天 领看书特权 5.2 与低维纳米结构异质 立即登录阅读 上翻页区 功能呼出区 下翻页区上QQ阅读 APP听书 浏览器可能消耗较大流量, 点我立即省流量 继续浏览精彩内容 QQ阅读APP 新用户海量小说免费读 打开 在此处浏览 继续...