微电子加工环境与衬底制备 子情景2:衬底材料制备 典型衬底材料:(1)元素半导体,如:硅、锗;(2)化合物半导体,如:砷化镓、磷化铟、碳化硅等;(3)绝缘体,如:蓝宝石、尖晶石等;IC发展与硅材料的关系 1、IC规模增大对硅单晶的要求➢晶圆直径逐年增大 (1)缺陷密度:由于大直径单晶的生长过程中热场...
半导体制备工艺 半导体材料的制备工艺方法 •分类:多晶工艺、单晶工艺、薄膜工艺•多晶工艺:电弧炉熔炼提纯 硅石 Si SiHCl3 SiHCl3 高纯度多晶Si 多晶硅的制备概况 由粗硅合成SiHCl3或SiCl4或SiH4中间体,精馏提纯后,用氢气还原或热分解而制得多晶硅三种方法各有特点,其中三氯代硅烷产量大...
PN结原理及制备工艺 在物理学中,根据材料的导电能力,可以将他们划分为导体、绝缘体和半导体。典型的半导体是硅Si和锗Ge,它们都是4价元素。si 硅原子 GGee +44 锗原子 硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子。•【n型半导体】“n”表示负电的意思,在这类半导体中,参与导电的主要是带负电的电子,这些...
半导体 材料与工艺之单晶半导体材料制备技术方案.ppt,完 shàn嬗 * * 4.放肩 晶颈生长完后,降低温度和拉速,使晶体直径渐渐增大到所需的大小,称为放肩。 放肩角度必须适当,角度太小,影响生产效率,而且因晶冠部分较长,晶体实收率低。 一般采用平放肩(150°左右),但
半导体工艺原理:硅衬底材料制备工艺培训课件.ppt,Electronic Grade Silicon 晶体生长是把半导体级硅的多晶硅转换成一块大的单晶硅。生长后的单晶硅被称为硅单晶锭。现在生产用于硅片制备的单晶硅锭最普遍的技术是Czochralski(CZ)法,是按照发明者的名字来命名的。 CZ法生
下载得到文件列表 半导体材料与工艺之单晶半导体材料制备技术方案.ppt 相关文档 文档介绍文档介绍: 相关标签关于空巢老人的论文 与经济学有关的论文 我眼中的改革开放论文 华南师范大学论文 宏观经济学小论文 二级人力资源师论文 萧红论文 谈诚信论文 书法鉴赏论文 大学计划论文 ...
第四章微纳制造工艺——半导体材料与制备 1 结合键 原子间的结合力称为结合键,它主要表现为原子间吸引力与排斥力的合力结果。根据不同的原子结合结合方式,结合键可分为以下几类:金属键(Metallicbonding)化学键(Chemicalbonding)离子键(Ionicbonding)主价键primaryinteratomicbonds共价...
硅外延制备工艺 定义工艺目的外延设备外延工艺流程 单晶半导体材料 硅外延生长 只有体单晶材料不能满足日益发展的各种半导体器件制作的需要,1959年末开发了薄层单晶材料生长技术——外延生长。外延生长就是在一定条件下,在经过切、磨、抛等仔细 加工的单晶衬底上,生长一层合乎要求的单晶层的方法。由于所...
硅衬底材料制备工艺 CZ(直拉)法生长单晶硅片制备(切割-研磨-抛光)晶体缺陷抛光片主要技术指标 半导体级硅 硅是用来制造芯片的主要半导体材料,也是半导体产业中最重要的材料。对于可用于制造半导体器件的硅而言,使用一种特殊纯度级以满足严格的材料和物理要求。在硅片上制作的芯片的最终质量与开始...
微电子工艺基础 2 第2章半导体材料和晶圆制备 一、半导体材料 半导体是人们将物质按电学性质进行分类时所赋予的一个名称。我们通常把导电性能介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。常见的半导体有硅、锗、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅等等。微电子工艺基础 第2章半导体材料和晶圆制备一、半导体材料 1、*本征...